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龙图腾网获悉四川九洲电器集团有限责任公司申请的专利一种在SIW上实现准连续域上束缚态的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329521.X，技术领域涉及：H01P3/12；该发明授权一种在SIW上实现准连续域上束缚态的方法及系统是由田殷;杨文凯;余国林;陶碧良;刘思源;代禹;何葵;徐小强设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在SIW上实现准连续域上束缚态的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在SIW上实现准连续域上束缚态的方法及系统，属于基片集成波导技术领域。方法包括：S1：根据设计需求计算SIW的截止频率、SIW谐振腔的谐振频率；S2：在仿真软件中逐步构建SIW、SIW‑SIW谐振腔叠层结构模型；S3：设置仿真频率、边界条件和场监视器；S4：扫描多个参数得到S曲线，根据所需带宽、幅值选取不同的参数；若无满足预设条件的S曲线，则重新扫描更多的参数直到得到满足预设条件的S曲线；S5：根据所需传输共振频率与共振最大半宽之比调整参数在SIW上实现准连续域上束缚态。在SIW上实现了准BIC，降低了加工难度、工艺复杂度并有利于器件小型化。

本发明授权一种在SIW上实现准连续域上束缚态的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种在SIW上实现准连续域上束缚态的方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：根据设计需求计算SIW的截止频率、SIW谐振腔的谐振频率； S2：在仿真软件中逐步构建SIW、SIW-SIW谐振腔叠层结构模型，舍弃空气填充，在PCB上印制一个SIW，且在其上表面开一个耦合缝隙槽，将能量辐射到另一个SIW谐振腔，形成一个产生准BIC改进型的SIW-SIW谐振腔系统； S3：设置仿真频率、边界条件和场监视器； S4：扫描多个参数得到S曲线，根据所需带宽、幅值选取不同的参数；若无满足预设条件的S曲线，则重新扫描更多的参数直到得到满足预设条件的S曲线； S5：根据所需传输共振频率与共振最大半宽之比调整参数在SIW上实现准连续域上束缚态； 所述的S2还包括以下步骤： 在仿真软件中建立SIW结构模型，并在SIW两端加入共面波导过渡结构以匹配阻抗； 在SIW的上表面金属层中心处开设一条耦合缝隙，用于切割表面电流使得能量耦合到SIW谐振腔中； 在SIW上方建立一个SIW谐振腔模型，并设置可调谐参数y，使SIW谐振腔随着y值变化从而沿y轴平移；所述y轴为SIW谐振腔模型的长度方向； 所述的S4还包括以下步骤： 对可调谐参数y进行扫描，使用频域求解器进行仿真求解； 调整SIW谐振腔关于耦合槽对称轴的中心偏移y，以破坏谐振模式中的对称保护状态，从而调整传输共振频率与共振最大半宽之比，使得SIW谐振腔中的束缚态与下方SIW中的连续态之间的耦合增强，使得SIW谐振腔束缚能量的能力减弱。

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