晶科能源(海宁)有限公司魏赫获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510314945.9，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池是由魏赫;吴君立;张彼克;金井升设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种太阳能电池，该太阳能电池包括硅基底，含有锑元素，硅基底具有第一表面；富锑隧穿氧化层，覆盖于第一表面；掺杂导电层，沿太阳能电池的厚度方向，掺杂导电层覆盖于富锑隧穿氧化层远离硅基底的一侧表面，掺杂导电层含有锑元素；富锑隧穿氧化层中的锑元素浓度大于硅基底中的锑元素浓度，且硅基底中的锑元素浓度大于掺杂导电层中的锑元素浓度，其中，沿太阳能电池的厚度方向，掺杂导电层靠近富锑隧穿氧化层的一侧形成有第一含锑层，第一含锑层中的锑元素浓度大于掺杂导电层其他部位中的锑元素浓度，能够增加富锑隧穿氧化层的导电性能，降低太阳能电池的串联电阻，提升太阳能电池的填充因子，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
本发明授权太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基底（1），含有锑元素，所述硅基底（1）具有第一表面（1a）； 富锑隧穿氧化层（2），覆盖于所述第一表面（1a）； 掺杂导电层（3），沿所述太阳能电池的厚度方向，所述掺杂导电层（3）覆盖于所述富锑隧穿氧化层（2）远离所述硅基底（1）的一侧表面，所述掺杂导电层（3）含有锑元素； 所述富锑隧穿氧化层（2）中的锑元素浓度大于所述硅基底（1）中的锑元素浓度，且所述硅基底（1）中的锑元素浓度大于所述掺杂导电层（3）中的锑元素浓度； 其中，沿所述太阳能电池的厚度方向，所述掺杂导电层（3）靠近所述富锑隧穿氧化层（2）的一侧形成有第一含锑层（31），所述第一含锑层（31）中的锑元素浓度大于所述掺杂导电层（3）其他部位中的锑元素浓度。
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