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龙图腾网获悉深圳市云在上半导体材料有限公司;湖北云在上半导体有限公司申请的专利便于吸附晶圆的静电吸盘获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510253799.3，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权便于吸附晶圆的静电吸盘是由张桂华;刘畅设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本便于吸附晶圆的静电吸盘在说明书摘要公布了：一种便于吸附晶圆的静电吸盘，涉及晶圆加工领域。所述静电吸盘包括：基板，所述基板的表面固定有绝缘层，所述基板的内部设置有静电电极，所述基板上开设有安装孔，所述安装孔上设置有可升降顶针，所述顶针的端部低于绝缘层的表面，所述基板上开设有用于进出冷却液的冷却液循环通道；承托组件，所述承托组件设置在顶针上，所述顶针在上升阶段时承托组件展开与顶针的顶部表面平齐，顶针在下降阶段时承托组件收缩；可以辅助温度调节的多个调节组件，所述调节组件沿基板内部的冷却液循环通道等间距分布。通过可展开的承托组件提升顶针与晶圆的接触面积，在顶针顶出或回缩时减少对晶圆损害的可能性。通过调节组件可进一步辅助调整静电吸盘的局部温度。

本发明授权便于吸附晶圆的静电吸盘在权利要求书中公布了：1.一种便于吸附晶圆的静电吸盘，包括基板（1），所述基板（1）的表面固定有绝缘层（12），所述基板（1）的内部设置有静电电极（11），所述基板（1）上开设有安装孔，所述安装孔上设置有可升降的顶针（2），所述顶针（2）的端部低于绝缘层的表面，所述基板（1）上开设有用于进出冷却液的冷却液循环通道（13），其特征在于： 还包括承托组件，所述承托组件设置在顶针（2）上，所述顶针（2）在上升阶段时所述承托组件展开到与顶针（2）的顶部表面平齐，所述顶针（2）在下降阶段时所述承托组件收缩； 还包括辅助温度调节的多个调节组件（3），所述调节组件（3）沿基板（1）内部的冷却液循环通道（13）等间距分布； 所述承托组件包括驱动部（4）和多个展开部（5），所述展开部（5）设置在顶针（2）的顶部，且展开部（5）与顶针（2）的顶部表面平齐； 所述驱动部（4）固定在安装孔的内壁上，且驱动部（4）设置在驱动顶针（2）升降的第一驱动单元（21）表面； 所述驱动部（4）与展开部（5）传动连接，驱动部（4）驱动展开部（5）展开或收缩，所述展开部（5）呈环形阵列分布在顶针（2）的顶部。

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