大连理工大学黄明亮获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119820173B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510181139.9，技术领域涉及：B23K35/26；该发明授权一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金是由黄明亮;任婧;黄斐斐;尤海潮;何定金设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金，所述钎料合金包括以下质量百分比的组分：3.4%的Ag、0.4%的Cu、1.4~2.8%的In，1.3~2.6%的Bi、0.8~1.5%的Sb，余量为Sn；Bi原子和Sb原子之和与In原子的原子数量比为1:1；满足Sn‑Ag‑Cu‑In‑Bi‑Sb六元团簇式：Sn260‑4xAg10Cu2In2xBixSbx。本发明的无铅钎料合金具有与普遍使用的Sn‑Ag‑Cu合金适配的工艺性能、良好的润湿性能、优异的力学性能，特别适用于SoC芯片封装。
本发明授权一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金在权利要求书中公布了：1.一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金，其特征在于，所述钎料合金包括以下质量百分比的组分：3.4%的Ag、0.4%的Cu、1.4~2.8%的In，1.3~2.6%的Bi、0.8~1.5%的Sb，余量为Sn；Bi原子和Sb原子之和与In原子的原子数量比为1:1；满足Sn-Ag-Cu-In-Bi-Sb六元团簇式：Sn260-4xAg10Cu2In2xBixSbx。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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