嘉善复旦研究院张柏诚获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉善复旦研究院申请的专利硅基电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113193.X，技术领域涉及：H01G4/33；该发明授权硅基电容器及其制备方法是由张柏诚;吴洋洋;丁士进;朱宝;徐雯龙;张立龙;余念文;张卫设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜电容器领域，提供了硅基电容器及其制备方法，硅基电容器包括硅基衬底、第一电极层、介质层、第二电极层和封装层，硅基衬底设有斜槽，第一电极层均匀铺设于硅基衬底上，介质层位于第一电极层与第二电极层之间以隔绝第一电极层和第二电极层，第一电极层与第二电极层极性不同，封装层包覆所有第一电极层、介质层、第二电极层和硅基衬底以封装。通过硅基衬底设置斜槽，使得沿硅基衬底依次向上铺设的第一电极层、介质层、第二电极层均处于倾斜状态，硅基电容器在空间上更扁平，实现空间内电容量更高、散热性能更好、以及对厚度要求的应用环境更好的适应性。
本发明授权硅基电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.硅基电容器，其特征在于，包括硅基衬底、第一电极层、介质层、第二电极层和封装层，所述硅基衬底设有斜槽，所述第一电极层均匀铺设于所述硅基衬底上，所述介质层位于所述第一电极层与所述第二电极层之间以隔绝所述第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述第二电极层极性不同，所述封装层包覆所有所述第一电极层、所述介质层、所述第二电极层和所述硅基衬底以封装，所述第一电极层与所述第二电极层通过所述介质层间隔铺设；按照指定深度、指定宽度、指定倾斜角，定向刻蚀硅晶圆表面得到初步的凹槽，定向加深凹槽得到所述斜槽，所述斜槽的倾斜角在0°和75°之间，不同斜槽之间顶部线条相互平行，指定深度指示斜槽阵列中凹槽底部的形状变化，封装层将第一电极层和第二电极层的两端露出。
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