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龙图腾网获悉中北大学申请的专利半导体器件检测方法、装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120047389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510037905.4，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权半导体器件检测方法、装置、电子设备和存储介质是由王苏恺;李璇;陈平;魏志晴;孙雪琴;郭丽娜;李雨;赵晓杰;孔慧华设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件检测方法、装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件检测方法、装置、电子设备和存储介质。该方法包括：针对待检测半导体器件采集两张具有垂直关系的DR图像；基于预设三维体积重建模型获得该两张具有垂直关系的DR图像对应的待检测半导体器件的三维体积；基于该三维体积对待检测半导体器件进行缺陷检测；其中，预设三维体积重建模型通过大尺度结构恢复和小尺度细节重构融合获取三维体积。该方法能够在节省人力物力资源的前提下，高效率、高精度地实现半导体器件的缺陷检测。

本发明授权半导体器件检测方法、装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件检测方法，其特征在于，所述方法包括： 针对待检测半导体器件采集两张具有垂直关系的DR图像； 基于预设三维体积重建模型获得所述两张具有垂直关系的DR图像对应的待检测半导体器件的三维体积； 基于所述三维体积对所述待检测半导体器件进行缺陷检测； 其中，所述预设三维体积重建模型包括：通道数提升模块、结构恢复模块、细节增强模块和融合模块； 所述通道数提升模块用于将所述两张具有垂直关系的DR图像在保证空间分辨率不变的情况下分别进行通道数提升；并将提升通道数后的两张DR图像进行融合获得第一融合结果； 所述结构恢复模块用于对所述第一融合结果进行大尺度结构恢复获取第一特征信息； 所述细节增强模块用于对所述第一融合结果进行小尺度细节重构获取第二特征信息； 所述融合模块用于将所述第一特征信息和所述第二特征信息进行融合，获得第二融合结果；其中，所述第二融合结果为所述两张具有垂直关系的DR图像对应的待检测半导体器件的三维体积； 其中，所述结构恢复模块利用编码器对所述第一融合结果进行上采样学习获得潜在紧凑的表示特征；利用解码器接收编码器输出的特征信息，通过上采样操作进行潜在信息的重构，获得所述第一特征信息；并在编解码过程中引入不同尺度上的跳跃连接； 所述细节增强模块对所述第一融合结果通过三个平行的且扩张率不同的扩张卷积获得具有不同感受野的特征图，将不同感受野的特征图连接，并使用卷积层恢复连接结果对应的通道数量获得第一处理结果；将所述第一融合结果输入到第二卷积层处理，并将处理后的处理结果输入第三卷积层处理，通过第三卷积层处理后获得第二处理结果；其中，所述第二卷积层和所述第三卷积层均为3×3的卷积层；将所述第一处理结果和所述第二处理结果融合获得第二特征信息。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中北大学，其通讯地址为：030051 山西省太原市学院路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。