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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119846416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411971051.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法是由陈岑;王梓丞;王明阳;鲁博航;魏俊平;李志豪;郭毅;寇雅婷;翟国富设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法，所述方法如下：S1：设置开关应力参数：开关频率f、占空比d、正偏置电压VCC、负偏置电压VEE以及栅极电阻R；S2：基于OTF技术，利用碳化硅MOSFET转移特性曲线提取电路进行转移特性曲线提取，提取从正电压过渡到负电压期间的转移特性曲线与从负电压过渡到正电压期间的转移特性曲线；S3：将提取的两条转移特性曲线绘制于同一坐标轴内，凭借二者所围成的闭合图形来表征并实现对转移特性曲线迟滞特性的准确测量。该方法能够有效解决传统提取技术中，提取转移特性曲线前需要复杂的预处理以及提取过程中存在测量延迟的问题，显著提升测量精准度。

本发明授权一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法在权利要求书中公布了：1.一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法，其特征在于所述方法包括如下步骤： 步骤S1：设置开关应力参数，所述开关应力参数包含开关频率f、占空比d、正偏置电压VCC、负偏置电压VEE以及栅极电阻R； 步骤S2：基于OTF技术，利用碳化硅MOSFET转移特性曲线测试电路进行转移特性曲线提取，提取从正电压过渡到负电压期间的转移特性曲线与从负电压过渡到正电压期间的转移特性曲线； 所述测试电路包括栅极驱动IC、微控制器、DC-DC电源模块、可调变阻器以及无感电阻，其中： 所述栅极驱动IC用于为被测器件提供驱动信号； 所述微控制器用于产生一个开关频率、占空比可调的PWM信号，PWM信号经过PCB导线输入到栅极驱动IC的同相输入端； 所述DC-DC电源模块用于为被测器件施加正偏置电压和负偏置电压，正偏置电压接到栅极驱动IC的VCC处，负偏置电压接到栅极驱动IC的VEE处； 所述可调变阻器作为栅极驱动电阻分别接到栅极驱动IC的OUT+和OUT-处，用于调节栅极驱动电阻； 所述无感电阻用于负载，使用DC-DC电源模块为负载端提供母线电压； 具体步骤如下： 步骤S21：使用栅极驱动IC为被测器件提供驱动信号； 步骤S22：使用微控制器产生一个开关频率、占空比都可调的PWM信号，PWM信号经过PCB导线输入到栅极驱动IC的同相输入端； 步骤S23：使用DC-DC电源模块提供正偏置电压和负偏置电压，将正偏置电压接到栅极驱动IC的VCC处，负偏置电压接到栅极驱动IC的VEE处，使电路可以灵活地调整栅极-源极电压幅值； 步骤S24：使用可调变阻器作为栅极驱动电阻分别接到栅极驱动IC的OUT+和OUT-处，使电路可以灵活地调整栅极驱动电阻； 步骤S25：选择无感电阻器搭配散热器作为负载电阻，使用DC-DC电源模块为母线提供3.3V电压； 步骤S26：将被测器件放置在电路板背面并采取覆铜及开窗的方式增加散热，布线时最小化环路电感以减少寄生参数并防止震荡； 步骤S27：被测器件在连续脉宽调制信号下工作，采用示波器对发热元器件的栅-源极电压和流经负载电阻的电流进行同步采样，从而获得从正电压过渡到负电压期间的转移特性曲线与从负电压过渡到正电压期间的转移特性曲线； 步骤S3：将步骤S2提取的两条转移特性曲线绘制于同一坐标轴内，凭借二者所围成的闭合图形来表征并实现对转移特性曲线迟滞特性的准确测量。

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