瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司杨锴获国家专利权
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龙图腾网获悉瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司申请的专利一种降低碳化硅外延薄膜表面Bump缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411925059.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种降低碳化硅外延薄膜表面Bump缺陷的方法是由杨锴;许书逸;钱卫宁设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低碳化硅外延薄膜表面Bump缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种降低碳化硅外延薄膜表面Bump缺陷的方法，包括以下步骤：第一步：进行缓冲层及外延层的生长；第二步：所述反应腔中压力保持不变，将氢气流量骤变至10~50slm，同时通入50~100slm的氩气进行第一阶段降温；第三步：待所述反应腔中温度降至1000~1200℃时，进行第二阶段降温；第四步：瞬间将氢气流量降至0slm，氩气流量降至10~30slm，同时恢复所述反应腔的内压；第五步：在氩气氛围下进行吹扫，吹扫完成后关闭氩气，静置后取出外延片。通过该方法可以将碳化硅外延薄膜表面的Bump缺陷密度降低至0.03cm‑2及以下，从而提高碳化硅外延片的质量，提高半导体器件的性能。
本发明授权一种降低碳化硅外延薄膜表面Bump缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低碳化硅外延薄膜表面Bump缺陷的方法，其特征在于：包括以下步骤： 第一步：将碳化硅衬底置于反应腔中，在氢气气氛中对衬底进行刻蚀处理后，通入碳源和硅源作为生长源，进行缓冲层及外延层的生长； 第二步：待所述外延层生长完成后，关闭所述生长源，所述反应腔中压力保持不变，将氢气流量骤降至10~50slm，同时通入50~100slm的氩气进行第一阶段降温； 第三步：待所述反应腔中温度降至1000~1200℃时，进行第二阶段降温，包括所述反应腔中压力保持不变，所述第二阶段降温的氢气流量不变，或者降低氢气流量，将氩气流量采用骤变的方式提高至100-300slm，并保持氩气流量直至所述反应腔中内温度降至目标温度，所述目标温度为室温； 第四步：瞬间将氢气流量降至0slm，氩气流量降至10~30slm，同时恢复所述反应腔的内压达到目标压力； 第五步：在氩气氛围下进行吹扫，吹扫完成后关闭氩气，静置后取出外延片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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