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龙图腾网获悉北京思朗东芯科技有限责任公司申请的专利一种测试芯片及其线路修改方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411894251.9，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种测试芯片及其线路修改方法是由陈鹏设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测试芯片及其线路修改方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测试芯片及其线路修改方法，涉及半导体技术领域。该线路修改方法包括：提供待测芯片，待测芯片包括衬底、位于衬底一侧的多层导电层、以及位于各导电层背离衬底一侧的顶层介质层；各导电层中的待测导电层包括待测线路；形成贯穿待测层背离衬底一侧的各膜层的线路引出孔，以露出待测线路，线路引出孔的第一线路引出孔中，靠近待测线路的第一线路引出孔的尺寸小于远离待测线路的第一线路引出孔的尺寸；在线路引出孔周围以及线路引出孔内沉积导电材料，以形成测试焊盘、以及连接测试焊盘与待测线路的引出线。本发明的技术方案通过形成上宽下窄的第一线路引出孔，使得导电材料能够沉积于第一线路引出孔侧壁，提高线路修改的准确性。

本发明授权一种测试芯片及其线路修改方法在权利要求书中公布了：1.一种线路修改方法，其特征在于，包括： 提供待测芯片；所述待测芯片包括衬底、位于所述衬底一侧多层膜层；所述多层膜层包括绝缘间隔的多层导电层、以及位于各所述导电层背离所述衬底一侧的顶层介质层；各所述导电层中包括至少一层待测导电层，所述待测导电层包括待测线路； 形成贯穿所述待测导电层背离所述衬底一侧的各所述膜层的线路引出孔，以露出所述待测线路；至少部分所述线路引出孔为第一线路引出孔；同一所述第一线路引出孔中，靠近所述待测线路的所述第一线路引出孔的尺寸小于远离所述待测线路的所述第一线路引出孔的尺寸； 在所述线路引出孔周围至少部分区域、以及所述线路引出孔内沉积导电材料，以形成测试焊盘、以及连接所述测试焊盘与所述待测线路的引出线； 在形成贯穿所述待测导电层背离所述衬底一侧的各膜层的线路引出孔，以露出所述待测线路之前，还包括： 获取所述待测芯片的设计参数； 根据所述待测芯片的设计参数，确定所述待测线路背离所述衬底一侧的各所述膜层中无线路区域的尺寸；所述无线路区域中未设置导电结构，且在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述无线路区域与所述待测线路交叠； 根据所述待测芯片的设计参数，确定所述待测线路的深度d和所述待测线路的宽度w；所述待测线路的深度d为该所述待测线路与所述顶层介质层背离所述衬底一侧表面之间的距离，所述待测线路的宽度w为所述待测线路在垂直于所述待测线路延伸方向上的尺寸； 根据所述待测线路的深度d、所述待测线路的宽度w、以及各所述膜层中所述无线路区域的尺寸，确定在形成所述线路引出孔时的打孔次数m； 第一次打孔时贯穿的所述膜层中所述线路引出孔的尺寸为K×w，K为大于或等于预设值k的正整数； 第i次打孔时贯穿的所述膜层中所述线路引出孔的尺寸为[K-i-1×K-1m-1]×w，i为大于1且小于或等于m的正整数。

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