上海华虹挚芯电子科技有限公司万一民获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹挚芯电子科技有限公司申请的专利一种沟槽型RC-IGBT器件及其制造办法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411879467.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种沟槽型RC-IGBT器件及其制造办法是由万一民;王修中;马庆海;王晓军;陈融设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型RC-IGBT器件及其制造办法在说明书摘要公布了：本发明公开一种沟槽型RC‑IGBT器件及其制造办法，涉及半导体器件技术领域，包括：至少一个元胞，元胞包括IGBT区以及FRD区，IGBT区包括第一类沟槽栅和多个顶部未设置栅源隔离层的第二类沟槽栅，孔注入区覆盖多个第二类沟槽栅；本发明器件拥有横跨栅极和源极的CT开孔，降低开孔的深宽比，降低工艺复杂度，简化金属填充层工艺流程，不需要额外填充TiTiN和W层，降低工艺成本；降低了器件的阈值电压的漂移，增强了器件的抗辐照能力，保证器件进行寿命控制时阈值电压保持不变；减小接触孔底部离子注入浓度，降低反向恢复能量Erec，并且衬底减薄后形成的薄片进行高能电子辐照和退火，使器件阈值电压的一致性更高，可以更有利于RC‑IGBT的并联使用，提升封装模块的总体性能。
本发明授权一种沟槽型RC-IGBT器件及其制造办法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型RC-IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在半导体衬底上形成MOS结构，MOS结构中IGBT区以及FRD区共用孔注入区，孔注入区覆盖多个第二类沟槽栅，在MOS结构形成过程中，在孔注入区上直接形成金属填充层； S2：在MOS结构正面形成钝化层和保护层； S3：在MOS结构背面形成IGBT的阳极、FRD的n型区、场截止层以及金属集电极； S4：进行高能电子辐照，高能电子辐照完成后，进行热退火处理，沟槽型RC-IGBT器件制作完成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹挚芯电子科技有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区锦绣东路2777弄36号楼9楼901、903、904室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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