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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利应用于毫米波的低噪声放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119787991B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411849917.9，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权应用于毫米波的低噪声放大器是由高志强;刘政设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于毫米波的低噪声放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于毫米波的低噪声放大器，所述低噪声放大器包括第一极共源共栅放大电路和第二极共源放大电路，其中：所述第一极共源共栅放大电路包括NMOS晶体管NM1～NM2、互感系数为K1的互感器电感L1～L2、电容C1～C3、互感系数为K2的互感器电感L4～L5和电感L3；所述第二级共源放大电路包括NMOS晶体管NM3、电感L6～L8和电容C4。本发明的低噪声放大器的输入端使用耦合谐振器进行阻抗匹配，用于补偿由源极简并电感器放大器的单谐振频率引起的较窄工作带宽，从而提高了低噪声放大器的工作带宽。本发明的低噪声放大器实现功能方式简单，在实现功能的基础上具有较高的增益平坦度以及噪声平坦度。

本发明授权应用于毫米波的低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种应用于毫米波的低噪声放大器，其特征在于所述低噪声放大器包括第一级共源共栅放大电路和第二级共源放大电路，其中： 所述第一级共源共栅放大电路包括NMOS晶体管NM1～NM2、互感系数为K1的互感器电感L1～L2、电容C1～C3、互感系数为K2的互感器电感L4～L5和电感L3； 所述互感器电感L1的一端连接输入端，互感器电感L1的另一端连接地端； 所述互感器电感L2的一端连接NMOS晶体管NM1的栅极，互感器电感L2的另一端连接偏置电压VB1； 所述电容C1的一端连接输入端，电容C1的另一端连接地端； 所述电容C2的一端连接NMOS晶体管NM1的栅极，电容C2的另一端连接地端； 所述电感L3的一端连接地端，电感L3的另一端连接NMOS晶体管NM1的源极； 所述NMOS晶体管NM1的源极连接电感L3的一端，NMOS晶体管NM1的栅极连接互感器电感L2的和电容C2的一端，NMOS晶体管NM1的漏极连接NMOS晶体管NM2的源极； 所述NMOS晶体管NM2的栅极连接电源端，NMOS晶体管NM2的漏极连接互感电感L4的一端； 所述互感器电感L4的一端连接电源端，互感器电感L4的另一端连接NMOS晶体管NM2的漏极； 所述互感器电感L5的一端连接偏置电压VB2，互感器电感L5的另一端连接电容C3和第二级放大电路的输入端； 所述电容C3的一端连接互感器电感L5的一端和第二级放大电路的输入端，电容C3的另一端连接地端； 所述第二级共源放大电路包括NMOS晶体管NM3、电感L6～L8和电容C4； 所述NMOS晶体管NM3的栅极连接电容C3和互感器电感L5的一端，NMOS晶体管NM3的源极连接电感L6的一端，NMOS晶体管NM3的漏极连接电感L7的一端； 所述电感L6的一端连接NMOS晶体管NM3的源极，电感L6的一端连接地端； 所述电感L7的一端连接NMOS晶体管NM3的漏极，电感L7的另一端连接电感L8的一端和电容C4的一端； 所述电感L8的一端连接电容C4和电感L7的一端，电感L8的另一端连接电源端； 所述电容C4的一端连接电感L7和电感L8的一端，电容C4的另一端连接输出端。

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