北京芯力技术创新中心有限公司刘括获国家专利权
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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利具有TSV喇叭口形貌调整功能的半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119694981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411812015.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有TSV喇叭口形貌调整功能的半导体器件制造方法是由刘括;王阳设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有TSV喇叭口形貌调整功能的半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有TSV喇叭口形貌调整功能的半导体器件制造方法，该方法包括：步骤S1，在位于晶圆顶部的介电膜层上沉积硬掩膜层；步骤S2，在所述硬掩膜层和所述介电膜层上施加光刻胶，通过光刻而形成蚀刻图案；步骤S3，通过硅刻蚀工艺进行所述介电膜层的蚀刻，形成了顶部喇叭口形貌；步骤S4，通过铜电镀工艺在具有所述顶部喇叭口的介电膜层上镀铜，然后将表面的铜去除；步骤S5，进行退火工艺，以使TSV内部的铜晶粒充分受热膨胀。利用本发明，能够避免因TSV喇叭口而导致的半导体器件电学性能劣化，即使是在运用常规刻蚀工艺和硬件产生喇叭口的情况下，也能够将喇叭口轻松去除。
本发明授权具有TSV喇叭口形貌调整功能的半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有TSV喇叭口形貌调整功能的半导体器件制造方法，其特征在于，包括：步骤S1，在位于晶圆顶部的介电膜层上沉积第一硬掩模层，其中，所述第一硬掩模层为采用液态四乙氧基硅烷与气态氧气混合作为前驱体、通过等离子体增强化学气相沉积、并在100~150°C的温度下暴露于空气中而形成的LT-SiO2；步骤S2，在所述第一硬掩模层和所述介电膜层上施加光刻胶，通过光刻而形成蚀刻图案；步骤S3，通过硅刻蚀工艺进行所述介电膜层的蚀刻，在LT-SiO2下界面上方形成了顶部喇叭口形貌；步骤S4，通过铜电镀工艺在具有所述顶部喇叭口的介电膜层上镀铜，然后将表面的铜去除；步骤S5，进行退火工艺，以使TSV内部的铜晶粒充分受热膨胀。
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