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龙图腾网获悉新恒汇电子股份有限公司申请的专利利用双面覆铜PI材料制备单双面载带的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119181646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411686298.6，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权利用双面覆铜PI材料制备单双面载带的方法是由张严;房杰;任志军;张成彬;邵汉文;于珂;张刚设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用双面覆铜PI材料制备单双面载带的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及IC卡载带技术领域，具体涉及一种利用双面覆铜PI材料制备单双面载带的方法。本发明包括基材选择、冲压、前处理、压干膜、曝光、显影、蚀刻、激光冲孔、清洗、电镀和分切步骤，将双面覆铜PI材料的载带基材，最终制得的顶柱力大于80N的单双面载带，从而简化双面正常的载带生产工艺，提供生产效率。本发明的载带基材使用可回收的双面覆铜PI材料来替代不可回收的环氧树脂玻纤布，有利于环保；使用双面覆铜PI材料制作载带产品，由于压焊面会将铜蚀刻掉，PI表面粗糙，可解决单片PI材料顶柱力不满足标准的问题；可简化双面产品的工艺流程，提高生产效率，节约能源。

本发明授权利用双面覆铜PI材料制备单双面载带的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用双面覆铜PI材料制备单双面载带的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、基材选择：选择双面覆铜PI材料作为载带基材； S2、冲压：对载带基材进行冲压，在双面覆铜PI材料上形成边缘齿孔； S3、前处理：对载带基材进行清洗，先用水洗去除表面沾污，再用稀硫酸进行微蚀处理去除表面氧化层；对载带基材进行清洗的速度为5~7mmin，稀硫酸的浓度范围为25±15mlL； S4、压干膜：对载带基材进行压干膜，用压膜机将干膜贴覆到载带基材的接触面和压焊面；对载带基材进行压干膜，压膜温度为95~120℃，压力范围为0.1~0.5MPa，压膜速度为4~10mmin； S5、曝光：对干膜进行曝光，通过吸真空、紫外线照射，把底片上的图案照射在干膜上； S6、显影：用碳酸钠溶液将未经紫外线照射的干膜溶解，保留显影的干膜； S7、蚀刻：对显影后的载带基材进行蚀刻，用酸性氯化铜溶液对显影后露出的铜进行溶解腐蚀；碳酸钠溶液的浓度为5~15gL，显影温度为25~35℃，显影速度为4~6mmin； S8、激光冲孔：对蚀刻后的载带基材进行激光冲孔，用激光设备去除铜环中心的PI材料，漏出载带基材的铜层；酸性氯化铜溶液的比重为1.1~1.4gcm3，蚀刻温度范围为50~60℃，蚀刻速度范围为4~6mmin； S9、清洗：对载带基材进行清洗，去除掉铜的氧化层，清洗速度为5~7mmin； S10、电镀：对载带基材的接触面进行镀金处理，对压焊面进行软金电镀； S11、分切：用分切设备将载带基材进行分切，得到宽度为35cm的单双面载带，确保顶柱力大于80N。

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