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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利一种熔丝型可编程电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411663645.3，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权一种熔丝型可编程电路是由刘瑞;张婧晶;池颖英;李艳波设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种熔丝型可编程电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种熔丝型可编程电路，其涉及模拟集成电路技术领域。包括：熔丝读出和烧写电路与试写和熔丝数据锁存电路。电源端上电时，输入端口EN_READ和输入端口出现高电平脉冲信号，熔丝读出和烧写电路输出熔丝F1对应的值；输出数据进入试写和熔丝数据锁存电路，输入端口EN_READ和输入端口的脉冲信号结束后，输出数据通过第八N型MOS管MN8和第十一N型MOS管MN11被锁存在第四P型MOS管MP4、第五P型MOS管MP5、第九N型MOS管MN9和第十N型MOS管MN10组成的锁存器。本发明读取和锁存过程中的静态电流很小，解决了现有单次可编程电路静态功耗较高的问题。

本发明授权一种熔丝型可编程电路在权利要求书中公布了：1.一种熔丝型可编程电路，其特征在于，包括：熔丝读出和烧写电路与试写和熔丝数据锁存电路； 所述熔丝读出和烧写电路包括：熔丝F1、第四N型MOS管MN4、第五N型MOS管MN5、第六N型MOS管MN6、第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2和第三P型MOS管MP3； 所述第五N型MOS管MN5的栅极和所述第六N型MOS管MN6的栅极连接输入端口EN_READ；所述第三P型MOS管MP3的栅极连接输入端口，所述第三P型MOS管MP3的源极连接所述熔丝F1的一端；所述第四N型MOS管MN4的栅极、所述第五N型MOS管MN5的漏极、所述第一P型MOS管MP1的漏极和所述第二P型MOS管MP2的栅极连接输出端口DF；所述第六N型MOS管MN6的漏极和所述第二P型MOS管MP2的漏极连接输出端口； 所述第四N型MOS管MN4的漏极连接所述第六N型MOS管MN6的源极，所述第四N型MOS管MN4的源极接地； 所述熔丝读出和烧写电路还包括第一与门AND1、第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3；所述熔丝F1与所述第三P型MOS管MP3的源极连接的一端还连接所述第一N型MOS管MN1的漏极，所述熔丝F1的另一端、所述第一P型MOS管MP1的源极和所述第二P型MOS管MP2的源极连接电源端；所述第一与门AND1的输入端连接输入端口EN_PRO和输入端口DIN，所述第一与门AND1的输出端连接所述第一N型MOS管MN1的栅极；所述第二N型MOS管MN2的栅极连接输入偏置电压VB，所述第二N型MOS管MN2的漏极连接所述第一P型MOS管MP1的栅极、所述第三P型MOS管MP3的漏极和所述第三N型MOS管MN3的栅极；所述第三N型MOS管MN3的漏极连接所述第五N型MOS管MN5的源极； 所述试写和熔丝数据锁存电路包括：第八N型MOS管MN8、第九N型MOS管MN9、第十N型MOS管MN10、第十一N型MOS管MN11、第十二N型MOS管MN12、第十三N型MOS管MN13、第十四N型MOS管MN14、第四P型MOS管MP4和第五P型MOS管MP5； 所述第八N型MOS管MN8的栅极连接所述输出端口DF，所述第十一N型MOS管MN11的栅极连接所述输出端口；所述第十三N型MOS管MN13的栅极和所述第十四N型MOS管MN14的栅极连接所述输入端口EN_READ；所述第九N型MOS管MN9的栅极、所述第十N型MOS管MN10的漏极、所述第十四N型MOS管MN14的漏极、所述第四P型MOS管MP4的栅极、所述第五P型MOS管MP5的漏极和所述第十二N型MOS管MN12的漏极连接输出端口DOUT； 所述第八N型MOS管MN8的漏极连接所述第十三N型MOS管MN13的源极，所述第十一N型MOS管MN11的漏极连接所述第十四N型MOS管MN14的源极； 所述第八N型MOS管MN8的源极、所述第九N型MOS管MN9的源极、所述第十N型MOS管MN10源极、所述第十一N型MOS管MN11的源极和所述第十二N型MOS管MN12的源极接地，所述第四P型MOS管MP4的源极和所述第五P型MOS管MP5的源极连接电源端； 所述试写和熔丝数据锁存电路还包括第二与门AND2、第三与门AND3和第七N型MOS管MN7；所述第二与门AND2的输入端连接输入端口DIN和输入端口EN_WRIT，所述第二与门AND2的输出端连接所述第七N型MOS管MN7的栅极；所述第三与门AND3的输入端连接输入端口和所述输入端口EN_WRIT，所述第三与门AND3的输出端连接所述第十二N型MOS管MN12的栅极；所述第十三N型MOS管MN13的漏极、所述第九N型MOS管MN9的漏极、所述第十N型MOS管MN10的栅极、所述第四P型MOS管MP4的漏极和所述第五P型MOS管MP5的栅极连接所述第七N型MOS管MN7的漏极；所述第七N型MOS管MN7的源极接地； 电源端上电时，输入端口EN_READ和输入端口出现高电平脉冲信号，第四N型MOS管MN4、第五N型MOS管MN5、第六N型MOS管MN6、第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2和第三P型MOS管MP3被使能，熔丝读出和烧写电路输出熔丝F1对应的值；输出数据通过输出端口DF和输出端口进入试写和熔丝数据锁存电路；输入端口EN_READ和输入端口的脉冲信号结束后，输出数据通过第八N型MOS管MN8和第十一N型MOS管MN11被锁存在第四P型MOS管MP4、第五P型MOS管MP5、第九N型MOS管MN9和第十N型MOS管MN10组成的锁存器。

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