西安理工大学吴聪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利自清洁Ti-MoS2-Cu抗微生物污损钛合金及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525077.0，技术领域涉及：C23C14/48；该发明授权自清洁Ti-MoS2-Cu抗微生物污损钛合金及制备方法是由吴聪;高鹏飞;汤玉斐;赵康;母果路;余跃波;赵宁设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本自清洁Ti-MoS2-Cu抗微生物污损钛合金及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了自清洁Ti‑MoS2‑Cu抗微生物污损钛合金及制备方法，具体为：制备梯度钼钛合金基体；将钼钛合金基体用化学抛光液进行预处理，清洗干燥，之后接入电源负极并放置于含有纯铜制品的真空室内，通过电弧放电使得纯铜成为铜等离子体并释放铜离子，随后进行离子注入，将得到的Ti‑Mo‑Cu合金前驱体与硫粉混合，在充满Ar气氛环境下进行硫化处理，超声清洗，干燥，即可得到自清洁Ti‑MoS2‑Cu抗微生物污损钛合金。本发明的Ti‑MoS2‑Cu抗微生物污损钛合金，主要由内部含有抗菌特性的铜离子和具有光热、光催化的纳米二硫化钼结构的钼钛合金组成，使其拥有自清洁效果的同时可以快速且长效的抑菌。
本发明授权自清洁Ti-MoS2-Cu抗微生物污损钛合金及制备方法在权利要求书中公布了：1.自清洁Ti-MoS2-Cu抗微生物污损钛合金的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施： 步骤1，制备梯度钼钛合金基体； 步骤2，将步骤1中的钼钛合金基体用化学抛光液进行预处理，清洗干燥，之后接入电源负极并放置于含有纯铜制品的真空室内，通过电弧放电使得纯铜成为铜等离子体并释放铜离子，随后进行离子注入，得到Ti-Mo-Cu合金前驱体； 化学抛光液由体积比为4：1：10的硝酸、氢氟酸和去离子水组成；离子注入时，脉冲电压频率为10~12Hz；脉冲电压的持续时间为5s；脉冲电压为30~40kV；真空室的气压为510- 3Pa；离子持续注入时间为1~3h； 步骤3，将步骤2得到的Ti-Mo-Cu合金前驱体与硫粉混合，在充满Ar气氛环境下进行硫化处理，硫化温度为900~1200℃；硫化时间为10~12h；超声清洗，干燥，即可得到自清洁Ti-MoS2-Cu抗微生物污损钛合金。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安理工大学，其通讯地址为：710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号