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龙图腾网获悉无锡旷通半导体有限公司申请的专利多层外延的超结MOSEFT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223207452U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422452003.0，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型多层外延的超结MOSEFT器件是由廖巍;赵勇设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层外延的超结MOSEFT器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种多层外延的超结MOSEFT器件，其包括第一导电类型衬底，第一导电类型外延层设置在第一导电类型衬底的正面，第一导电类型外延层包括多层堆叠的子外延层；第二导电类型体区设置在第一导电类型外延层的正面且位于第一导电类型外延层内；第二导电类型柱至少设置有两个，第二导电类型柱从靠近第一导电类型衬底的子外延层内延伸至第二导电类型体区内；第一导电类型源区设置在第二导电类型体区的正面且位于第二导电类型体区内；其中沟槽栅结构包括开设在第一导电类型外延层正面的第一沟槽，第一沟槽内设置有至少两个栅极，两个栅极之间设置有屏蔽栅，本实用新型具有进一步的降低导通电阻，使得整个结构的导通电阻小，通流能力强的效果。

本实用新型多层外延的超结MOSEFT器件在权利要求书中公布了：1.一种多层外延的超结MOSEFT器件，其特征在于，包括： 第一导电类型衬底； 第一导电类型外延层，设置在第一导电类型衬底的正面，所述第一导电类型外延层包括多层堆叠的子外延层； 第二导电类型体区，设置在所述第一导电类型外延层的正面且位于所述第一导电类型外延层内； 第二导电类型柱，至少设置有两个，所述第二导电类型柱从靠近所述第一导电类型衬底的所述子外延层内延伸至所述第二导电类型体区内； 沟槽栅结构，设置在相邻的两个所述第二导电类型柱之间且从所述第一导电类型外延层具有第二导电类型体区的正面往背面延伸； 第一导电类型源区，设置在所述第二导电类型体区的正面且位于所述第二导电类型体区内； 其中，所述沟槽栅结构包括开设在所述第一导电类型外延层正面的第一沟槽，所述第一沟槽内设置有至少两个栅极，两个所述栅极之间设置有屏蔽栅，所述屏蔽栅和所述栅极之间、所述栅极与所述第一沟槽内壁之间、所述屏蔽栅和所述第一沟槽底壁之间均设置有栅氧化层。

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