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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高耐漏极电压过冲的碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223207453U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422365066.2，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种高耐漏极电压过冲的碳化硅VDMOS是由周海;施广彦;胡臻;何佳设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高耐漏极电压过冲的碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种高耐漏极电压过冲的碳化硅VDMOS，包括：第一漂移层连接至碳化硅衬底；第一N型区连接至第一漂移层；第二N型区连接至第一N型区；P型阱区连接至第一N型区，P型阱区连接至第二N型区，P型阱区上设有N型源区；P型阱区内设有第一穿孔；第二漂移层设于第一穿孔内，且第二漂移层连接至第一N型区，第二漂移层内设有第二穿孔；绝缘层连接第一N型区，绝缘层设于第二穿孔内；栅介质层分别连接N型源区、P型阱区、第二漂移层以及绝缘层；源极金属层分别连接第二N型区、P型阱区以及N型源区；栅极金属层连接至栅介质层；漏极金属层连接至碳化硅衬底，抑制漏极电压过冲对栅极的冲击，避免热量集中，提高器件可靠性。

本实用新型一种高耐漏极电压过冲的碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种高耐漏极电压过冲的碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 第一漂移层，所述第一漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 第一N型区，所述第一N型区下侧面连接至所述第一漂移层上侧面； 第二N型区，所述第二N型区下侧面连接至所述第一N型区上侧面； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述第一N型区，所述P型阱区外侧面连接至第二N型区内侧面，所述P型阱区上设有N型源区；所述P型阱区内设有第一穿孔； 第二漂移层，所述第二漂移层设于所述第一穿孔内，且所述第二漂移层下侧面连接至所述第一N型区上侧面，所述第二漂移层内设有第二穿孔； 绝缘层，所述绝缘层下侧面连接所述第一N型区上侧面，所述绝缘层设于所述第二穿孔内； 栅介质层，所述栅介质层下侧面分别连接所述N型源区上侧面、P型阱区上侧面、第二漂移层上侧面以及绝缘层上侧面； 源极金属层，所述源极金属层分别连接第二N型区、P型阱区以及N型源区； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至栅介质层； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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