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龙图腾网获悉西南交通大学申请的专利一种一维ScGa₃(ZnO)_n超晶格纳米线及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411326311.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种一维ScGa₃(ZnO)_n超晶格纳米线及其制备方法是由曹宝宝;潘梓鑫设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种一维ScGa₃(ZnO)_n超晶格纳米线及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一维ScGa3ZnOn超晶格纳米线及其制备方法，涉及超晶格纳米线制备技术领域。其制备方法包括：将锌源、钪源和镓源溶于有机溶剂中，加入稳定剂，搅拌，陈化，得到ScGa‑ZnO前驱体溶液；通过毛细作用，将ZnO纳米线包覆，烘干，热处理，得到一维ScGa3ZnOn超晶格纳米线。本发明采用高温固态扩散技术，巧妙地将微量的Sc和Ga元素融入ZnO一维材料中，从而成功构建了超晶格结构，同时保持了ZnO纳米线的主要基础属性，Sc和Ga元素以近似原子链的形式精细修饰在ZnO纳米线的表面，为材料赋予了新的特性和功能。本发明解决了现有技术中缺乏过渡元素掺杂超晶格纳米线的问题。

本发明授权一种一维ScGa₃(ZnO)_n超晶格纳米线及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种一维ScGa3ZnOn超晶格纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）ScGa-ZnO前驱体溶液：将锌源、钪源和镓源溶于有机溶剂中，加入稳定剂，于80-90℃条件下搅拌45-70min，于室温下避光陈化30-48h，得到ScGa-ZnO前驱体溶液； （2）ScGa-ZnO前驱体溶液包覆ZnO纳米线：将生长有ZnO纳米线的Si基底倾斜角度设置为25-35°，通过毛细作用，采用步骤（1）制得ScGa-ZnO前驱体溶液将所述ZnO纳米线包覆，于180-200℃条件下烘干25-35min，得到ScGa-ZnO前驱体溶液包覆ZnO纳米线； （3）热处理：将步骤（2）制得的ScGa-ZnO前驱体溶液包覆ZnO纳米线于1100-1200℃条件下热处理10-15min，得到一维ScGa3ZnOn超晶格纳米线； 步骤（1）中，锌源为ZnCH3COO2·2H2O；钪源为ScNO33·2H2O；镓源为GaNO33·2H2O； 步骤（2）中，将ScGa-ZnO前驱体溶液滴加在倾斜Si基底的上方，通过溶液扩散，实现包覆； 所述一维ScGa3ZnOn超晶格纳米线的直径为50-90nm，长度为10-50μm； 步骤（1）中，锌源、钪源和镓源中Zn、Sc和Ga的元素摩尔比为1：1：1； 步骤（1）中，有机溶剂和稳定剂的体积比为1000-5000：1； 步骤（1）中，ScGa-ZnO前驱体溶液的浓度为0.002-0.05molL。

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