广东瑞得泰科技有限公司吴良获国家专利权
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龙图腾网获悉广东瑞得泰科技有限公司申请的专利一种半导体保护膜及其涂布工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119161771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411286209.9，技术领域涉及：C09D127/06；该发明授权一种半导体保护膜及其涂布工艺是由吴良;王天笑;梁伟强设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体保护膜及其涂布工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体保护膜及其涂布工艺，该半导体保护膜包括基底层、功能层、应力缓冲层和抗腐蚀层。基底层由氯乙烯树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂等原料组成；功能层包含散热介质、稳定剂、增塑剂等。应力缓冲层由特定质量比的苯乙烯‑丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、α‑二氧化硅和α‑氧化铝组成，抗腐蚀层为氮化硅或氧化硅。散热介质、稳定剂等原料有特定的组成和比例。涂布工艺包括超声波清洁、旋转涂覆基底层、喷涂功能层、真空溅射应力缓冲层和化学气相沉积抗腐蚀层等步骤。该保护膜通过优化材料配比和涂布工艺，提高了半导体器件的散热性能和热收缩性能。
本发明授权一种半导体保护膜及其涂布工艺在权利要求书中公布了：1.一种半导体保护膜，其特征在于：包括基底层、功能层、应力缓冲层和抗腐蚀层；所述基底层包括以下重量份原料：氯乙烯树脂30-50份、聚酰亚胺树脂25-35份、苯氧基树脂15-33份、聚对苯二甲酸乙二醇酯12-22份、大豆油10-20份、碳酸钙12-22份；所述功能层包括以下重量份原料：散热介质5-10份、稳定剂12-33份、增塑剂20-40份；所述应力缓冲层包括质量比为14-25:6-10:2-5的苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、α-二氧化硅和α-氧化铝，所述抗腐蚀层包括但不限于氮化硅或氧化硅；所述稳定剂为质量比为4-9:1-3:8-12的二月桂酸二丁基锡、异辛酸钙和氮化硼纳米粒子。
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