中微半导体设备(上海)股份有限公司陈丹莹获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种碳化硅外延沉积设备及其基座组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223201965U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422183670.3，技术领域涉及：C30B25/12；该实用新型一种碳化硅外延沉积设备及其基座组件是由陈丹莹;郑振宇;王栋辉设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅外延沉积设备及其基座组件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种碳化硅外延沉积设备及其基座组件。所述基座组件包括：基片托盘，其中心区域具有内陷的凹坑，所述凹坑用于容纳基片；旋转筒，其上部支撑所述基片托盘，所述旋转筒与吹扫气体供应单元连接；石墨材质的加热器，其设置在所述旋转筒的内部；所述旋转筒内的气体能够通过所述气体通道传输到所述基片的边缘。通过将旋转筒内部的一部分含碳元素的吹扫气体引导到基片边缘，抑制了基片边缘处的氮掺杂，从而提高基片氮掺杂浓度的均匀性。
本实用新型一种碳化硅外延沉积设备及其基座组件在权利要求书中公布了：1.一种基座组件，用于碳化硅外延沉积设备中，其特征在于，包括： 基片托盘，其中心区域具有内陷的凹坑，所述凹坑用于容纳基片； 旋转筒，其上部支撑所述基片托盘，所述旋转筒与吹扫气体供应单元连接； 石墨材质的加热器，其设置在所述旋转筒的内部； 所述基片托盘的边缘区域设有围绕所述基片的气体通道，所述旋转筒内的气体能够通过所述气体通道传输到所述基片的边缘。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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