台湾积体电路制造股份有限公司张凯钧获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223207455U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422122759.9，技术领域涉及：H10D62/17；该实用新型半导体装置结构是由张凯钧;林季勋;何宜臻;林洪正设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种半导体装置结构，其包括：一第一鳍部结构及一第二鳍部结构以及一介电壁位于一基底上。介电壁包括：一第一介电层以及一第二介电层位于第一鳍部结构与第二鳍部结构之间。第二介电层由该第一介电层围绕，且具有“V”形剖面轮廓。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 一第一鳍部结构及一第二鳍部结构，位于一基底上；以及 一介电壁，包括： 一第一介电层及一第二介电层，位于该第一鳍部结构与该第二鳍部结构之间，其中该第二介电层由该第一介电层围绕，且具有“V”形剖面轮廓。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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