台湾积体电路制造股份有限公司邱雅文获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223207456U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422113759.2，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置结构是由邱雅文;郑宜骅;陈思颖;潘正扬设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种半导体装置结构，半导体装置结构包括第一SD区、第一井部、第二SD区、第二井部以及绝缘结构。第一SD区设置在基底上方，第一井部设置在第一SD之下，第二SD区设置在基底上方，第二井部设置在第二SD区之下，绝缘结构设置在第一井部与第二井部之间。绝缘结构包括绝缘材料、第一顺应性层、第二顺应性层以及第三顺应性层。绝缘材料具有第一高度，第一顺应性层与绝缘材料接触，且第一顺应性层具有不同于第一高度的第二高度，第二顺应性层与第一顺应性层接触，且第二顺应性层具有不同于第二高度的第三高度，第三顺应性层与第二顺应性层接触，且第三顺应性层具有不同于第三高度的第四高度。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 一第一源极漏极区，设置在一基底上方； 一第一井部，设置在该第一源极漏极区之下； 一第二源极漏极区，设置在该基底上方； 一第二井部，设置在该第二源极漏极区之下；以及 一绝缘结构，设置在该第一井部与该第二井部之间，该绝缘结构包括： 一绝缘材料，具有一第一高度； 一第一顺应性层，与该绝缘材料接触，其中该第一顺应性层具有不同于该第一高度的一第二高度； 一第二顺应性层，与该第一顺应性层接触，其中该第二顺应性层具有不同于该第二高度的一第三高度；以及 一第三顺应性层，与该第二顺应性层接触，其中该第三顺应性层具有不同于该第三高度的一第四高度。
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