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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种可调节PN型的SiC光子晶体制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118915198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410967062.3，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权一种可调节PN型的SiC光子晶体制备方法是由张高天;罗东向;刘霄设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可调节PN型的SiC光子晶体制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电子器件技术领域，具体公开了一种可调节PN型的SiC光子晶体制备方法，包括以下步骤，衬底准备与掩膜层生长、涂胶、曝光与显影、电子束刻蚀ICP与后续处理、高温离子注入与激活、去除SiO2掩膜层、生长新的SiO2掩膜层、光刻定义刻蚀区域、电子束刻蚀形成光子晶体。本发明通过离子注入拉偏仿真探究制备不同PN型的SiC光子晶体的目的，以达成制备一种可随意调节PN型的SiC光子晶体的目标，能够快速并大量地制备光子晶体，且可根据不同的大小需求激光切割出需要使用的光子晶体大小尺寸，且在电子器件的制备过程中，此光子晶体的PN型和衬底浓度可以较大限度地根据需求自由调整，可靠且方便。

本发明授权一种可调节PN型的SiC光子晶体制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可调节PN型的SiC光子晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.衬底准备与掩膜层生长： 选择N型Si衬底：确保衬底表面干净、无杂质； 立式LPCVD生长SiO2掩膜层： 控制生长条件，确保SiO2层的厚度为2um，且覆盖在Si衬底上; S2.涂胶、曝光与显影： 涂胶：在SiO2掩膜层上均匀涂覆一层光刻胶，确保无气泡、无杂质； 曝光：使用光刻机进行曝光，将待刻蚀区域的图案转移到光刻胶上； 显影：通过显影液去除曝光后的光刻胶部分，留下待刻蚀区域的图案； S3.电子束刻蚀ICP与后续处理； ICP刻蚀： 利用电子束刻蚀的选择性刻蚀特性，去除未被光刻胶遮挡的SiO2部分； 所述电子束刻蚀过程中，刻蚀机参数如下： 压力:3mTorr 氦气压力:4Torr 氮气流量:200sccm 三氟甲烷流量:50sccm 时长：2300s 控制刻蚀条件，确保刻蚀深度和均匀性； 酸洗去除光刻胶： 使用食人鱼溶液，进行酸洗，去除表面的残余光刻胶； 溶液比例为H2SO4：H2O2=3：1，酸洗的时间是15min，避免对SiO2层造成损伤； 留下注入窗口： 在去除光刻胶和刻蚀后的SiO2层上，形成清晰的注入窗口图案； 检查图案的完整性和准确性，确保满足后续工艺要求； S4.高温离子注入与激活： 使用注入机将铝离子在高温下注入到N型硅衬底中； 注入的Al离子会改变原本N型Si的导电类型，使其局部区域转变为P型，从而实现PN型的转换； 通过高温激活过程，确保注入的离子能够有效地掺杂到硅晶体中，成为有效的载流子； 通过预先设定的工艺方案，实现PN型的转换： 第一步：剂量：3.8e13cm^-2；能量：370keV；倾斜角度：0°；旋转角度：0°；温度：500°C；加热有助于减少注入损伤； 第二步：剂量：增加至1.3e14cm^-2，能量：降低至250keV，控制注入深度；倾斜和旋转角度：保持不变，分别为0°和0°；温度：保持在500°C； 第三步：剂量：调整至3.6e13cm^-2；能量：进一步降低至100keV；倾斜和旋转角度：依旧为0°和0°；温度：500°C，与前面步骤一致； S5.去除SiO2掩膜层： 通过干法刻蚀和BOE湿法浸泡来去除这层SiO2掩膜； S6.生长新的SiO2掩膜层： 在去除了旧的SiO2层之后，再次使用立式低压化学气相沉积在N型Si衬底上生长一层新的1微米厚的SiO2掩膜层； 这次生长的SiO2层是为了准备接下来的光子晶体刻蚀步骤； S7.光刻定义刻蚀区域： 在SiO2掩膜层上涂覆光刻胶，然后通过曝光和显影定义出待刻蚀的区域； S8.电子束刻蚀形成光子晶体： 使用感应耦合等离子体刻蚀技术，电子束刻蚀，来选择性地去除SiO2掩膜层，在这个过程中，未被光刻胶保护的SiO2区域将被刻蚀掉，而Si材料则被保留下来； 最终得到的是具有特定图案的Si光子晶体结构。

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