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龙图腾网获悉北京炎黄国芯科技有限公司申请的专利一种适用于高压LDO的内部补偿结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118760301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410898077.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种适用于高压LDO的内部补偿结构是由李建伟;李小兵;刘克帅设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于高压LDO的内部补偿结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于高压LDO的内部补偿结构，旨在提升LDO在面对负载电流快速变化时的性能。该内部补偿结构包括瞬态增强模块、偏置模块和LDO主环路模块，其中，所述的瞬态增强模块，用于在负载电流发生快速变化时提供额外的电流；所述的LDO主环路模块，用于维持输出电压的稳定性，并与偏置模块协同工作；所述的偏置模块，用于提供恒定的偏置电压或电流；所述的偏置模块中至少包括：PMOS管M1、PMOS管M2以及电流源V1，并通过PMOS管M1和M2的栅源电压与电流源V1叠加，生成稳定的内部参考电压Start_REF，为LDO提供了精确的电压基准，从而在宽输入电压范围内保障了输出电压的高一致性。

本发明授权一种适用于高压LDO的内部补偿结构在权利要求书中公布了：1.一种适用于高压LDO的内部补偿结构，其特征在于，包括： 瞬态增强模块，用于在负载电流发生快速变化时提供额外的电流；所述的瞬态增强模块包括：PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7以及PMOS管M8，所述PMOS管M5中的栅极连接PMOS管M2的漏极，PMOS管M5中的源极连接PMOS管M6的漏极，PMOS管M5中的漏极接地，所述PMOS管M6中的源极连接Vin端，PMOS管M6中的栅极分别连接PMOS管M7的栅极以及PMOS管M8的栅极，所述PMOS管M7中的源极连接偏置模块，PMOS管M7中的漏极连接PMOS管M8的源极，所述PMOS管M8中的漏极分别连接LDO主环路模块与PMOS管M3的漏极； LDO主环路模块，用于维持输出电压的稳定性，并与偏置模块协同工作； 偏置模块，用于提供恒定的偏置电压或电流；所述的偏置模块包括：电流源Vbg、电流源V1、PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3以及PMOS管M4，其中，所述的PMOS管M1源极连接至Vin端，栅极连接至电流源Vbg并接地，漏极分别连接至PMOS管M3的源极以及PMOS管M4的栅极；所述的PMOS管M2源极连接至PMOS管M1的源极，栅极连接至LDO主环路模块，漏极分别连接至PMOS管M4的源极以及瞬态增强模块；所述的PMOS管M3栅极与PMOS管M4的栅极相连接，漏极连接至瞬态增强模块；所述的PMOS管M4漏极连接至电流源V1并接地； 双向电压电平转换器，所述的双向电压电平转换器位于PMOS管M2与LDO主环路模块之间，或位于电流源Vbg与PMOS管M1的栅极之间。

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