西安交通大学赵一凡获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种高温薄膜型应变传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118816695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410859445.9，技术领域涉及：G01B7/16；该发明授权一种高温薄膜型应变传感器是由赵一凡;王舸;刘峰玮;张雅馨;王琛英;韩枫;蒋庄德设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高温薄膜型应变传感器在说明书摘要公布了：本发明属于应变传感器技术领域，具体涉及一种高温薄膜型应变传感器，包括基底和应变敏感栅，所述应变敏感栅包括氧化铟锡层和铂层，所述氧化铟锡层沉积在所述基底上，所述铂层沉积在所述氧化铟锡层上，所述氧化铟锡层中含有氧化铟的质量分数为50％，氧化锡的质量分数为50％。本发明提供的一种高温薄膜应变传感器可以在常温到500℃下使用，在500℃高温条件下有极高的灵敏度。不同于常规金属箔式应变片几微米的厚度，高温薄膜应变栅厚度为500nm，能较好地传递被测物体在高温下的应变。
本发明授权一种高温薄膜型应变传感器在权利要求书中公布了：1.一种高温薄膜型应变传感器，其特征在于，包括基底2，所述基底2上沉积有应变敏感栅3，所述应变敏感栅3的材料是由氧化铟锡层和铂层构成的复合薄膜，所述氧化铟锡层沉积在所述基底2上，所述铂层沉积在所述氧化铟锡层上； 所述氧化铟锡层中，氧化铟的质量分数为50％，氧化锡的质量分数为50％； 所述氧化铟锡层厚度为450nm，铂层厚度为50nm； 所述应变敏感栅3包括多条纵栅5，多条所述纵栅5并列沉积于所述基底2上，相邻的两条纵栅5之间连接有横栅4，所述横栅4沉积于所述基底2上，所述纵栅5和横栅4构成连续S型结构，所述连续S型结构两端分别连接有过渡栅6的一端，两个所述过渡栅6的另一端分别连接有电极7； 所述横栅4、纵栅5、过渡栅6和电极7均是由氧化铟锡层和铂层构成的复合薄膜； 氧化铟锡层和铂层均是通过磁控溅射方法沉积； 所述应变传感器在500℃环境中灵敏度GF＝45，响应时间τ＜0.2S。
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