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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利超高斯光束最优发射口径和最优超高斯阶数的计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118409428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410679855.5，技术领域涉及：G02B27/00；该发明授权超高斯光束最优发射口径和最优超高斯阶数的计算方法是由骆传凯;武鹏飞;徐翔设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本超高斯光束最优发射口径和最优超高斯阶数的计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了超高斯光束最优发射口径和最优超高斯阶数的计算方法，涉及强激光传输特性研究及高功率激光器设计的技术领域，确定超高斯光束模型以及超高斯阶数n，初始化设置一个发射口径d；计算发射平面光场分布；计算超高斯光束模型的远场光强分布；计算远场光斑的环围功率曲线，得到参考环围功率比所对应的半径即功率半径Rx；改变发射口径d，计算不同发射口径d下的功率半径Rx，得到Rx随发射口径d的变化曲线；将功率半径Rx不再随发射口径d变化的最小发射口径作为最优发射口径d0。本发明通过分析超高斯光束在大气介质中的传输过程，给出了超高斯阶数与最优发射口径之间的关系，进一步的可以在确定光束模型的情况下得到最优发射口径，或在确定发射口径的情况下得到最优超高斯阶数，从而为超高斯光束在强激光大气传输中的应用和高功率激光器的设计提供参考。

本发明授权超高斯光束最优发射口径和最优超高斯阶数的计算方法在权利要求书中公布了：1.一种超高斯光束最优发射口径的计算方法，其特征在于，包括以下步骤： S11，确定超高斯光束模型以及超高斯阶数n，根据发射口径d的取值范围，初始化设置一个发射口径d； S12，计算发射平面光场分布； S13，基于Huygens-Fresnel原理计算超高斯光束模型的远场光强分布； S14，计算远场光斑的环围功率曲线，即环围功率比随半径之间的关系曲线，选择一个环围功率比作为参考环围功率比，得到参考环围功率比所对应的半径即功率半径Rx； S15，改变发射口径d，重复执行步骤S12-S14，计算得到不同发射口径d下的功率半径Rx，从而得到功率半径Rx随发射口径d的变化曲线； S16，根据功率半径Rx随发射口径d的变化曲线，将功率半径Rx不再随发射口径d变化的最小发射口径，作为最优发射口径d0，得到该超高斯光束模型及超高斯阶数n下的最优发射口径d0。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院合肥物质科学研究院，其通讯地址为：230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。