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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种金-银纳米阵列材料及其制备方法和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118064892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410201835.7，技术领域涉及：C23C28/02；该发明授权一种金-银纳米阵列材料及其制备方法和用途是由李越;曾盼;张涛设计研发完成，并于2024-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金-银纳米阵列材料及其制备方法和用途在说明书摘要公布了：本发明涉及二元贵金属纳米材料领域，尤其涉及一种金‑银纳米阵列及其制备方法与图案防伪应用。本发明在单层聚苯乙烯微球模板上溅射沉积金膜后，通过高温煅烧获得金纳米球阵列，再采用AMBI对金纳米球阵列表面进行修饰改性，AMBI配体通过Au‑S键锚定在金纳米球表面，使得金纳米球表面的界面能增加，帮助银离子克服衬底Si与金纳米球之间的静电势阱阻力而在金纳米球表面成核并进一步生长。通过改变还原剂的类型，调控银纳米颗粒的形貌，得到不同银纳米颗粒形貌的金‑银纳米阵列。本发明制得的金‑银纳米阵列可作为信息载体应用于信息防伪等领域。解决了现有金‑银纳米阵列材料制备方法高成本、定向控制困难、反应动力学复杂等技术问题。

本发明授权一种金-银纳米阵列材料及其制备方法和用途在权利要求书中公布了：1.一种金-银纳米阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤A、取直径为350-2000nm且直径大小一致的聚苯乙烯微球，制备有序排列的单层聚苯乙烯微球模板，将单层聚苯乙烯微球模板转移到硅片表面，得到表面铺设有单层聚苯乙烯微球的硅片； 步骤B、在硅片上单层聚苯乙烯微球所在的表面溅射沉积一层金膜，在1000-1100℃下退火2-3h，获得金纳米球直径为180-500nm的金纳米球阵列； 步骤C、将金纳米球阵列置于含巯基的配体溶液中进行修饰改性，再加入硝酸银溶液和还原剂溶液，于15-30℃下反应5-50min，最终制得金-银纳米阵列材料； 或者，在金纳米球阵列表面旋涂光刻胶薄膜，烘烤固化后，使用电子束光刻技术刻画图形，曝光、显影和定影得到生长银纳米结构的图形化区域，将图形表面未被光刻胶覆盖的金纳米球阵列放入含巯基的配体溶液中对其进行修饰改性，再加入硝酸银溶液和还原剂溶液，于15-30℃下反应5-50min，去掉光刻胶薄膜，即制得图形化的金-银纳米阵列材料； 所述含巯基配体为5-氨基-2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑羧酸中的一种；所述还原剂溶液的还原剂为对苯二酚、抗坏血酸、硼氢化钠、葡萄糖、柠檬酸钠和次磷酸钠中的一种。

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