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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利一种具有多层结构的BN纤维基多孔陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117645499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311614574.3，技术领域涉及：C04B38/06；该发明授权一种具有多层结构的BN纤维基多孔陶瓷的制备方法是由刘照伟;罗紫芸;姜淼;罗立明;汪东红;赵康;汤玉斐设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有多层结构的BN纤维基多孔陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有多层结构的BN纤维基多孔陶瓷的制备方法，首先制备BN纤维，然后将其作为基底通过化学气相沉积法以及磁场作用在表面垂直生长菜花状SiC，利用聚合物泡沫的多孔结构在BNSiC聚合物表面生成多孔碳并将其包覆在里面，最后经过煅烧生成BN纤维基多孔陶瓷；本发明能够利用细小片状SiC聚集而成的菜花状结构，使得电磁波在入射多次反射，提高吸波性能，包覆在BNSiC聚合物表面的多孔碳结构可以增大材料的比表面积，电磁波在孔道中发生散射和多重反射，使其与吸波剂的相互作用得到增强，BN纤维基多孔陶瓷的多层结构使得电磁波在入射时能量被不断转化吸收，从而提高吸收效果，在吸波领域有着广阔的应用前景。

本发明授权一种具有多层结构的BN纤维基多孔陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有多层结构的BN纤维基多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，具体按以下步骤实施： 步骤1，制备BN纤维 将硼酸和三聚氰胺以一定配比溶于去离子水中并进行加热搅拌，冷却干燥后得到前驱体纤维，再放入管式炉中在氮气气氛下进行煅烧并保温，得到BN纤维； 步骤2，沉积菜花状SiC颗粒 将步骤1所得BN纤维作为基板放入化学气相沉积反应室中，然后向化学气相沉积反应室填充氮气和六甲基二硅氨气体，保持一定温度恒温；在化学气相沉积反应室外部安装脉冲磁场线圈，选择合适的频率，强度及磁场方向；在一定温度下沉积一定时间得到菜花状BNSiC； 步骤3，构建多孔BNSiCC前驱体 将步骤2所得BNSiC分散于水中，得到BNSiC水溶液；称取水溶性聚合物溶于水中，向聚合物水溶液中加入BNSiC水溶液和聚合物泡沫持续搅拌加热，冷却后进行冷冻干燥，得到BNSiCC前驱体； 步骤4，煅烧处理 将步骤3所得BNSiCC前驱体置于管式炉中进行煅烧，得到BN纤维基多孔陶瓷。

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