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西安工业大学高勇获国家专利权

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龙图腾网获悉西安工业大学申请的专利一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117756180B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311555004.1,技术领域涉及:C01G39/06;该发明授权一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法是由高勇;李超;李政隆;崔文岗;杨亚雄;高帆;张明昌;潘洪革设计研发完成,并于2023-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法在说明书摘要公布了:一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法,将钼酸铵、硫代乙酰铵和尿素加入去离子水中搅拌均匀,得到前驱溶液;前驱溶液转水热反应,然后快速冷却至室温,得到粗产品溶液;将粗产品溶液置入4℃下冷藏保温,离心处理,洗涤,保留固体物质MoS2初品;加入去离子水,超声处理,得到MoS2去离子水分散液;将Na2SO4加入MoS2去离子水分散液中,用磁力搅拌器充分搅拌,然后行离心、洗涤,超声处理,在烘箱中进行真空下烘干处理后,得到产品。优点是:该材料能够同时兼顾化学吸附型储氢材料高的储氢密度和物理吸附型储氢材料好的动力学性能的双重优点,使得具有较好的储氢密度、吸放氢速率快、操作条件温和的优点。

本发明授权一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种钠插层诱发1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法,其特征是: (1)配制前驱溶液 将钼酸铵、硫代乙酰铵和尿素按照质量比5:6:20加入去离子水中,并用磁力搅拌器充分搅拌,得到前驱溶液; (2)水热反应 前驱溶液转移至水热合成反应釜中,在180℃-220℃下水热反应18h-24h,然后快速冷却至室温,得到粗产品溶液; (3)制备MoS2初品 将粗产品溶液置入4℃下冷藏保温2h,离心转速为8000rpm-9000rpm,离心处理30分钟,分别使用去离子水、乙醇交替洗涤产物,保留固体物质MoS2初品;按照固体物质MoS2初品与去离子水质量比1:5加入去离子水,将其进行超声处理30min-60min,得到MoS2去离子水分散液; (4)制备Na离子插层诱发1T相二硫化钼固态储氢材料 按照Na2SO4与MoS2初品质量比2:1将Na2SO4加入MoS2去离子水分散液中,用磁力搅拌器充分搅拌,混合均匀后进行时长30分钟,转速为8000rpm-9000rpm离心,并使用去离子水、无水乙醇交替洗涤产物,洗涤后保留固体物质并按照1:5加入去离子水进行超声处理,随后在烘箱中进行真空下60℃-100℃烘干处理4h-6h后,得到粉末状灰黑色Na离子插层诱发1T相二硫化钼固态储氢材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安工业大学,其通讯地址为:710032 陕西省西安市新城区西安市金花北路4号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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