豪威科技股份有限公司比尔·潘获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利用于滞后减缓的高K金属绝缘体金属(MIM)电容器网络获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118352367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311432538.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权用于滞后减缓的高K金属绝缘体金属(MIM)电容器网络是由比尔·潘;毛杜立;刘远良;姜熙秀;杜奕飞;崔雲设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于滞后减缓的高K金属绝缘体金属(MIM)电容器网络在说明书摘要公布了：本公开涉及一种用于滞后减缓的高k金属绝缘体金属MIM电容器网络。像素电路包含光电二极管，其经配置以响应于入射光而光生图像电荷。浮动扩散经耦合以接收来自所述光电二极管的所述图像电荷。转移晶体管耦合在所述光电二极管与所述浮动扩散之间。所述转移晶体管经配置以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散。复位晶体管耦合在复位电压与所述浮动扩散之间。多个电容器开关对耦合在所述复位晶体管与偏置电压源之间。所述多个电容器开关对中的每一者包含横向溢出积分电容器LOFIC及耦合到所述LOFIC的开关晶体管。
本发明授权用于滞后减缓的高K金属绝缘体金属(MIM)电容器网络在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，其包括： 光电二极管，其经配置以响应于入射光而光生图像电荷； 浮动扩散，其经耦合以接收来自所述光电二极管的所述图像电荷； 转移晶体管，其耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散之间，其中所述转移晶体管经配置以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散； 复位晶体管，其耦合在复位电压与所述浮动扩散之间；及 多个电容器开关对，其中所述多个电容器开关对中的每一者彼此并联耦合在所述复位晶体管与偏置电压源之间，其中所述多个电容器开关对中的每一者包括： 横向溢出积分电容器LOFIC；及 开关晶体管，其串联耦合在所述复位晶体管与所述LOFIC之间。
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