武汉华星光电半导体显示技术有限公司黄灿获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种显示面板及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117479657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310887199.3,技术领域涉及:H10K59/122;该发明授权一种显示面板及其制作方法是由黄灿;金映秀;张春鹏;鲜于文旭设计研发完成,并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示面板及其制作方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种显示面板及其制作方法,显示面板包括衬底基板及依次位于衬底基板上的阳极层、像素定义层、发光层和阴极层;阳极层包括多个阳极块;像素定义层包括对应阳极块设置的第一像素开口;第一像素开口包括第一侧壁;第一阴极辅助层位于像素定义层上且包括与第一像素开口连通的第二像素开口;第二像素开口包括第二侧壁,第二侧壁在衬底基板上的正投影围绕第一侧壁在衬底基板上的正投影设置;发光层至少覆盖阳极块和第一侧壁;阴极层至少位于发光层上且与第一阴极辅助层电连接。本申请可以采用无FMM技术形成图案化的发光层,且显示面板的开口率得到了有效的提升,有利于实现大尺寸和高分辨率OLED显示面板的制作。
本发明授权一种显示面板及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括: 衬底基板,包括多个驱动器件; 阳极层,位于所述衬底基板上,且包括呈阵列分布的多个阳极块,一所述驱动器件电连接至少一所述阳极块; 像素定义层,位于所述衬底基板上,且包括对应所述阳极块设置的第一像素开口;所述第一像素开口包括第一侧壁; 第一阴极辅助层,位于所述像素定义层上,且包括与所述第一像素开口连通的第二像素开口;所述第二像素开口包括第二侧壁,且所述第二侧壁在所述衬底基板上的正投影围绕所述第一侧壁在所述衬底基板上的正投影设置; 发光层,至少覆盖所述阳极块和所述第一侧壁;以及 阴极层,至少位于所述发光层上,且与所述第一阴极辅助层电连接; 其中,所述第二侧壁包括在远离所述像素定义层的方向上依次连接的第一子侧壁和第二子侧壁,所述第一子侧壁和所述第二子侧壁在所述第二侧壁靠近所述像素定义层的一侧形成阶梯结构,所述第二子侧壁距离所述像素定义层的高度小于所述第一阴极辅助层的上表面距离所述像素定义层的高度; 所述阴极层和所述发光层重合设置,且覆盖至少部分所述阶梯结构; 所述显示面板还包括第二阴极辅助层,所述第二阴极辅助层位于所述阴极层上和且与所述阴极层接触连接,且至少覆盖部分未被所述发光层覆盖的所述第二侧壁,并与所述第一阴极辅助层电连接。
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