西北工业大学成来飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种氮化硅闭气孔隔热陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117024156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310847012.7，技术领域涉及：C04B35/587；该发明授权一种氮化硅闭气孔隔热陶瓷的制备方法是由成来飞;叶昉;杨宏珂;赵凯;张立同设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化硅闭气孔隔热陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化硅闭气孔隔热陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将30～90vol.％的Si3N4中空微球和10～70vol.％的Si粉混合得到混粉，再与无水乙醇混合后均匀填充到模具中加压形成Si3N4陶瓷素坯；将Si3N4陶瓷素坯直接放入氮化炉中，以N2作为反应气，保持气流量为60～100mlmin，从室温升温至1100～1200℃后缓慢升温至1350～1450℃保温4～6h，冷却得到预强化的Si3N4陶瓷预制体；对预强化的Si3N4陶瓷预制体进行先驱体浸渍裂解致密化处理，得到Si3N4闭气孔隔热陶瓷。本发明解决了目前Si3N4陶瓷介电常数偏高，热导率和密度相对较大的问题。
本发明授权一种氮化硅闭气孔隔热陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅闭气孔隔热陶瓷的制备方法，包括以下步骤： 步骤1：Si3N4陶瓷素坯成型：将30～90vol.%的Si3N4中空微球和10～70vol.%的Si粉混合得到混粉，再将混粉和无水乙醇混合形成均匀的粉体；将粉体均匀填充到模具中，加压形成Si3N4陶瓷素坯； 步骤2：Si3N4陶瓷素坯的预强化：将Si3N4陶瓷素坯直接放入氮化炉中，以N2作为反应气，保持气流量为60～100mlmin，以10℃min的升温速度从室温升温至1100～1200℃后缓慢升温至1350～1450℃保温4～6h，冷却后得到预强化的Si3N4陶瓷预制体； 步骤3：对预强化的Si3N4陶瓷预制体进行先驱体浸渍裂解致密化处理，得到Si3N4闭气孔隔热陶瓷，其中裂解气氛为NH3气氛； 所述Si3N4闭气孔隔热陶瓷的体积密度为2.106gcm3，开气孔率为27-30%，闭气孔率为16.69%，在室温下的热导率为1.21Wm·k。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学，其通讯地址为：710072 陕西省西安市友谊西路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号