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龙图腾网获悉江苏普诺威电子股份有限公司申请的专利具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116646254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310632562.7，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法是由马洪伟;宗芯如;杨飞;姜寿福设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法，所述加工方法包括准备基板、第一次镭射前处理、第一次镭射钻孔、第一次除胶沉铜、第一次填孔电镀、微蚀减铜、研磨、棕化、增厚、第二次镭射前处理、第二次镭射钻孔、第二次除胶沉铜、第二次填孔电镀、外层线路、外层防焊、表面处理、成型得成品载板、成品测试、成品检验和包装出货。通过该加工方法得到的载板介厚即绝缘层的厚度不受限制，满足敏感性元器件对载板刚性的需求。

本发明授权具有高纵横比导通孔的封装载板及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高纵横比导通孔的封装载板的加工方法，其特征在于：包括如下步骤： 准备基板：装备具有第一绝缘层11的基板10； 第一次镭射前处理：对基板10进行前处理以便于后续的镭射钻孔； 第一次镭射钻孔：利用镭射的方式在第一绝缘层11上钻出通孔13； 第一次除胶沉铜：去除镭射过程产生的废渣并沉铜形成种子层； 第一次填孔电镀：利用电镀方法将通孔13中塞满铜； 微蚀减铜：使用化学药水对表层铜厚进行微蚀减薄，剩余的铜厚控制在2-6μm； 研磨：将表层铜去除只保留铜塞孔，同时粗化第一绝缘层11表面； 棕化：粗化塞孔处的铜面，增加铜面与压合绝缘层的结合力，降低信赖性风险； 增厚：在第一绝缘层11的双面压第二绝缘层21，以增加绝缘层的厚度，得到增厚板20； 第二次镭射前处理：对增厚板20进行前处理以便于后续的镭射处理； 第二次镭射钻孔：利用镭射的方式在第二绝缘层21上钻出盲孔31； 第二次除胶沉铜：去除镭射过程产生的废渣并沉铜形成种子层； 第二次填孔电镀：利用电镀方法将盲孔31中塞满铜，得到半成品板30； 后工序：将半成品板30依次经过如下步骤处理：外层线路、外层防焊、表面处理、成型得成品载板40、成品测试、成品检验和包装出货； 其中，根据成品载板40中绝缘层厚度的要求，可重复微蚀减铜步骤至第二次填孔电镀步骤； 当通过第二次填孔电镀制作出半成品板30后，对半成品板30进行N次以下处理：内层线路、棕化、压合增层、微蚀减铜、镭射开窗、镭射盲孔、镭射钻孔、除胶沉铜和填孔电镀，最后将增层后的半成品板进行后工序处理得到多层的成品载板，其中，N≥1，且N为整数； 在第一次镭射钻孔中，所述通孔13为X型孔，X型孔的腰部直径为D1,X型孔的两端的直径为D2，其中，30μm≤D1≤0.7*D2； 在第二次镭射钻孔工艺中，所述通孔两侧的盲孔31沿通孔13的中心点呈对称布置，所述第二绝缘层21的厚度小于40μm； 在准备基板工艺中，所述基板10包括第一绝缘层11以及分别设置于所述第一绝缘层11正、反两面的第一铜箔层12，所述第一铜箔层12为普通铜箔层或超薄铜箔层，其中，所述普通铜箔层的厚度为9μm至35μm，所述超薄铜箔层的厚度为2μm至6μm； 或， 在准备基板工艺中，所述基板10包括第一绝缘层11以及压合于所述第一绝缘层11正、反两面的离型膜，即所述基板10为无基铜基板； 当第一铜箔层12为普通铜箔层时，第一次镭射前处理工艺包括： 微蚀减铜：降低电镀前铜厚，最终控制电镀后的铜厚，维持较薄状态以便于后续减铜； 镭射孔开窗：通过蚀刻的方式在第一铜箔层12上开出镭射孔开窗； 或，当第一铜箔层12为超薄铜箔层时，第一次镭射前处理工艺包括：LDD棕化：粗化铜面，便于激光破铜； 或，当基板10为无基铜基板时，第一次镭射前处理工艺包括：剥离离型膜； 当第二铜箔层22为普通铜箔层时，第二次镭射前处理工艺包括： 微蚀减铜：降低电镀前铜后，最终控制电镀后的铜厚； 镭射孔开窗：通过蚀刻的方式在第二铜箔层22上开出镭射孔开窗； 或，当第二铜箔层22为超薄铜箔层时，第二次镭射前处理工艺包括：LDD棕化：粗化铜面，便于激光破铜； 或，当第二绝缘层21上贴合离型膜时，第二次镭射前处理工艺包括：剥离离型膜。

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