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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利基于光子芯片的SD-OCT系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116609269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310542860.7，技术领域涉及：G01N21/01；该发明授权基于光子芯片的SD-OCT系统是由纪幸辰;凌玉烨;陈君琢;苏翼凯设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于光子芯片的SD-OCT系统在说明书摘要公布了：一种基于光子芯片的集成化谱域光学相干层析成像系统，包括：光源芯片、干涉仪芯片和光谱探测器，其中：光源芯片输出宽谱的光至干涉仪芯片，经干涉仪芯片分束后分别通过样本臂和参考臂输出至待测样品以及干涉仪芯片内置的反射器，样本臂的光对待测样品进行扫描的反射光与参考臂的光在干涉仪芯片上生成干涉信号后输出至光谱探测器，光谱探测器通过信号处理得到待测样品的图像。本发明采用集成光子芯片替代传统系统中的分立元件，对整个成像系统，包括光源、干涉仪、光谱仪等元件提出集成化方案，可以适用于工作中心波长在850nm，1060nm，1300nm、1700nm等OCT成像常用波段，在尺寸和成本上大幅度缩减。

本发明授权基于光子芯片的SD-OCT系统在权利要求书中公布了：1.一种基于光子芯片的集成化谱域光学相干层析成像系统，其特征在于，包括：光源芯片、干涉仪芯片和光谱探测器，其中：光源芯片输出宽谱的光至干涉仪芯片，经干涉仪芯片分束后分别通过样本臂和参考臂输出至待测样品以及干涉仪芯片内置的反射器，样本臂的光对待测样品进行扫描的反射光与参考臂的光在干涉仪芯片上生成干涉信号后输出至光谱探测器，光谱探测器通过信号处理得到待测样品的图像； 所述的干涉仪芯片包括：输入端、分束器、参考臂、样本臂、输出端和反射器，其中：输入端与光源芯片之间直接耦合或间接耦合及封装，输出端通过与MEMS扫描仪配合对样本进行扫描或通过光学相控阵对样本完成扫描，参考臂的光程与样本臂的片上和片外的光程总和相匹配； 所述的光源芯片通过以下任意一种方式实现： a使用氮化硅谐振器产生频率梳作为光源，通过自注入锁定和非线性过程产生宽带频谱，为产生中心波长为1050nm的频率梳；在1050nm的泵浦波长下，泵浦为700mW，在氮化硅高度为700nm，宽度为1300nm的条件下，由于色散调控，氮化硅芯片产生适用于SD-OCT的广谱光学频率梳； b使用共封装的超辐射发光二极管芯片与氮化硅光子芯片，具体为：先在硅衬底晶片上预刻蚀沟槽后嵌入超辐射发光二极管； 所述的光谱探测器通过以下方式实现： 采用氮化硅制备共传播固定傅里叶变换光谱仪，具体为：首先将光信号分成两个平行的不同脊宽的氮化硅脊波导，以获得两个受激波导管模式的渐逝场的所需重叠；由于受激模式的传播常数略有不同，两个波导管之间会产生干涉图案，通过在波导管之间放置光栅，干涉图案向上衍射到光电二极管阵列； 所述的干涉仪芯片上的所有器件均由高折射率波导层和低折射率包层组成，通过高折射率波导层将光束缚并实现低损耗传播，并且与光源芯片、探测器集成在同一衬底材料上； 所述的干涉仪芯片基于氮化硅光子平台进行集成，具体为：参考臂由一根长且低损耗的氮化硅波导管和一个可调集成微加热器组成以匹配样本臂所需的路径长度； 所述的光源芯片为氮化硅谐振器或共封装的超辐射发光二极管芯片与氮化硅光子芯片； 所述的匹配，通过集成微加热器对参考臂的长度进行热调处理以精细调节实现光程匹配，该微加热器在1mV的外加电压下达到纳米级的调节分辨率； 所述的光谱探测器为宽谱、高空间分辨率探测器，其探测光谱宽度与光源芯片的频谱带宽相匹配； 所述的预刻蚀沟槽由光刻所限定，硅衬底晶片使用高纵横比等离子体刻蚀工艺或KOH湿法刻蚀进行刻蚀，氮化硅器件的边缘耦合器采用喇叭口结构以匹配辐射发光二极管的输出模斑，确保最佳耦合后，通过粘合剂和紫外光固化将超辐射发光二极管芯片与氮化硅光子芯片封装在同一载体上。

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