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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于缺陷地结构的移相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310492848.X，技术领域涉及：H01P1/18；该发明授权一种基于缺陷地结构的移相器是由李璐;钱慧珍设计研发完成，并于2023-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于缺陷地结构的移相器在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于缺陷地结构的移相器，该移相器包括介质基板、缺陷地结构以及微带结构；缺陷地结构设置在介质基板的一侧；微带结构设置在所述介质基板背离所述缺陷地结构的一侧，所述微带结构为边缘耦合结构；所述微带结构和所述缺陷地结构共同限定出所述缺陷地结构在工作频率下的阻抗匹配；由于缺陷地结构能够改变微带线的分布电感和分布电容，具有慢波效应，可实现移相器的小型化；同时微带结构为形成边缘耦合结构，能够优化工作频率下的阻抗匹配，实现较宽的带宽范围，以实现移相器的良好的S参数。

本发明授权一种基于缺陷地结构的移相器在权利要求书中公布了：1.一种基于缺陷地结构的移相器，其特征在于，包括： 介质基板； 缺陷地结构，设置在介质基板的一侧； 微带结构，设置在所述介质基板背离所述缺陷地结构的一侧，且所述微带结构为边缘耦合结构； 其中，所述微带结构和所述缺陷地结构共同限定出所述缺陷地结构在工作频率下的阻抗匹配； 所述微带结构包括相互对称设置的第一微带线和第二微带线，所述第一微带线以及所述第二微带线均为T型结构，所述第一微带线与所述第二微带线形成边缘耦合结构； 所述第一微带线包括相互连接的第一子微带线和第二子微带线，所述第一子微带线与所述第二子微带线相互垂直；所述第二微带线包括相互连接的第三子微带线和第四子微带线，所述第三子微带线和所述第四子微带线相互垂直； 其中，所述第二子微带线和所述第三子微带线相互平行设置，且第二子微带线与所述第三子微带线间隔设置，且所述第二子微带线与所述第三子微带线形成边缘耦合结构；所述第一子微带线设置在所述第二子微带线背离所述第三子微带线的一侧，所述第四子微带线设置在所述第三子微带线背离所述第二子微带线的一侧； 所述微带结构具有右极点，所述第二子微带线的长度与所述右极点的频率成反比；所述第三子微带线的宽度与所述右极点的频率成反比； 所述缺陷地结构的两侧设置有凹陷部，至少部分所述凹陷部与所述第一子微带线以及所述第四子微带线重叠，且所述凹陷部的宽度与所述第一子微带线和或所述第四子微带线的宽度相同； 所述凹陷部具有底壁，两侧的所述凹陷部的底壁之间的第一距离与所述右极点的频率成反比。

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