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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310419902.8，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法是由张南;黄吉裕;郭嘉杰;吴国发;刘自然;毛朝斌;伍三忠设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域，步骤包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；保持硅源流量不变，使碳源流量按关于时间的S型曲线增大达到第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层。该方法将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，并且使碳硅比变化过程的起点和终点附近平滑过渡，有利于减少三角形缺陷。

本发明授权一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，应用于化学气相沉积工艺，其特征在于，包括以下步骤： 以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层； 保持硅源流量不变，逐渐从所述第一碳源流量增大过渡至第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；过渡模式为，碳硅比是关于时间的S型函数； 以所述第一硅源流量和所述第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层； 从所述第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从所述第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层； 以所述第二硅源流量和所述第三碳源流量生长出高速外延层； 所述S型函数的形式为： 碳硅比=Δr（1+exp（-k*（t-t_mid）Δt））+r1； 其中，Δr=r2-r1，r1为所述第一碳源流量与所述第一硅源流量的碳硅比，r2为所述第二碳源流量与所述第一硅源流量的碳硅比；自变量t表示时间，单位为分钟；t_mid=（t1+t2）2，Δt=t2-t1，t1为开始生长所述碳硅比过渡层的时间点，t2为开始生长所述低速高碳硅比缓冲层的时间点，单位均为分钟；k为控制所述S型函数陡度的调节参数； 所述r1为0.8，所述r2为1.2，所述Δt为2min； 所述k的取值范围为7至14。

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