复旦大学黄海获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种基于二维离子导电体的阈值转变器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116249440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310267640.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于二维离子导电体的阈值转变器件及制备方法是由黄海;钟志鹏;褚君浩设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维离子导电体的阈值转变器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于阻变存储器件技术领域，具体为一种基于二维离子导电体的阈值转变器件及其制备方法。本发明器件自上而下依次为衬底、氧化物层、底电极、二维离子导电体功能层、少层石墨烯、顶电极；其中，氧化层为SiO2,底电极为Cr和Cu电极，二维离子导电体功能层为铜基磷硫酸盐，顶电极为Cr和Au电极。本发明通过引入铜电极与铜基磷硫酸盐以及石墨烯形成范德华异质结；通过施加电压控制铜基磷硫酸盐中铜离子的耗尽与积累，从而实现稳定的阈值阻变行为。铜电极的引入增加了铜离子的浓度梯度，使得功能层在电压降低时能通过铜离子扩散从低阻态恢复到高阻态。该阈值转变器件具有良好的稳定性和抗疲劳特性、较高的开关比以及超小亚阈值摆幅等特点。
本发明授权一种基于二维离子导电体的阈值转变器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维离子导电体的阈值转变器件，其特征在于，结构自下而上依次为衬底、氧化物层、底电极、二维离子导电体功能层、少层石墨烯、顶电极；其中： 所述衬底为重掺杂的p型Si衬底； 所述氧化物层为SiO2,厚度为285±15纳米； 所述底电极为Cr和Cu电极，Cr厚度为5-10纳米，Cu厚度为30-40纳米； 所述二维离子导电体功能层为铜基磷硫酸盐，厚度为10-15纳米； 所述少层石墨烯厚度为8-15纳米； 所述顶电极为Cr和Au电极，Cr厚度为5-10纳米，Au厚度为50-60纳米。
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