中国科学院宁波材料技术与工程研究所满其奎获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种单晶/多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310246507.4，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种单晶/多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料及其制备方法是由满其奎;王璇;谭果果;雷镇匡设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶/多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料及其制备方法，属于电磁波吸收材料技术领域，该吸波材料包括SnO2单晶柱和Ce‑SnO2多晶纳米颗粒，Ce‑SnO2多晶纳米颗粒与SnO2单晶柱之间形成异质结结构，采用如下方法制备得到：将铈源和锡源混合搅拌，滴加氨水使pH为7～9，形成沉淀后静置，洗涤后干燥；进一步研磨，在空气气氛下煅烧，冷却后得到所述的单晶多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料。所述的单晶多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料主要依靠优化的阻抗匹配、增强的界面极化和多重反射等来衰减吸收电磁波，在吸波领域具有良好的应用前景。
本发明授权一种单晶/多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料，其特征在于，包括SnO2单晶柱和Ce-SnO2多晶纳米颗粒，Ce-SnO2多晶纳米颗粒与SnO2单晶柱之间形成异质结结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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