上海芯存天下电子科技有限公司王文静获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯存天下电子科技有限公司申请的专利Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116343887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310242999.X，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质是由王文静;李佳泽;林杉设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种Norflash的验证方法、装置、设备及存储介质，其中，验证方法包括步骤:根据Norflash的存储阵列构建简易存储模型，简易存储模型基于局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成，局部位线组仅包括每条字线上第2i个字节及末位字节对应所在的位线;利用简易存储模型对待测设计进行功能验证;该验证方法仅保留对存储阵列中边缘部分及符合增长规律的地址所对应的存储单元进行验证项仿真，确保验证过程覆盖了验证所需的检查点的同时，在有限的时间内完成更多项的功能验证，极大地提高了验证效率。
本发明授权Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种Norflash的验证方法，用于对Norflash进行仿真以对待测设计进行功能验证，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 根据所述Norflash的存储阵列构建简易存储模型，所述简易存储模型基于局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成，所述局部位线组仅包括每条字线上第2i个字节及末位字节对应所在的位线，i=0,1,…，n，其中，n为大于1的整数； 利用所述简易存储模型对所述待测设计进行功能验证； 所述利用所述简易存储模型对所述待测设计进行功能验证的步骤包括： 基于预设的测试激励对参考模型进行仿真生成第一测试结果，及基于所述测试激励利用所述简易存储模型对所述待测设计进行仿真生成第二测试结果； 比对所述第一测试结果和所述第二测试结果生成验证结果。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海芯存天下电子科技有限公司，其通讯地址为：201208 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢408室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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