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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种低维材料原位透射热学测试器件及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310226140.X，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权一种低维材料原位透射热学测试器件及测试方法是由尹奎波;金展锐;聂萌设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低维材料原位透射热学测试器件及测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低维材料原位透射热学测试器件及测试方法，其结构包括硅基底，硅基底中部为中空结构，上面有两个悬空平台结构作为金属层的电、热绝缘衬底；两个悬空平台上面是热电偶结构温度传感器，金属电阻，金属电极，其中每个悬空平台上各有一个热电偶结构温度传感器，金属电阻和金属电极。悬臂上的热电偶，金属电阻和金属电极连接外部电极的电信号通路上按照均匀序列埋入正方形氮化硅制成的热隔离岛。每个悬空平台上的金属电极与热电偶结构温度传感器距离近，使得样品端温度与温度传感器感测的温度更加接近，保证测量的高精度测量。同时设计相应的适用于大批量加工的标准微纳加工工艺流程。

本发明授权一种低维材料原位透射热学测试器件及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种低维材料原位透射热学测试器件，其特征在于，所述器件为MEMS器件，包括硅基底以及所述硅基底上的金属层，所述硅基底上形成悬空平台；所述金属层包括设置在所述悬空平台上且左右对称的两部分；每个部分均包括热电偶温度传感器、压电薄膜、加热电阻、金属电极，热电偶温度传感器的热电偶接点位于压电薄膜上，热电偶温度传感器、加热电阻以及金属电极依次间隔设置，并且金属电极位于平面的相对内侧，左右两部分的金属电极用于共同加载待测样品；热电偶温度传感器、加热电阻以及金属电极分别通过电信号通路连接外部电极，构成所述电信号通路的金属长条中均匀序列埋入正方形氮化硅，使得电信号通路形成方波形状；所述悬空平台部分的硅基底作为所述金属层的电、热绝缘衬底； 所述热电偶温度传感器由满足塞贝克系数差异性的两个不同材料的金属条组成，主体平行设置的两个金属条分别位于同样形状且间隔设置的硅基底之上，两个金属条中均匀序列埋入正方形氮化硅，使得金属条形成方波形状，两个金属条在热端结合在一起从而形成所述热电偶接点。

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