昆明理工大学左勇刚获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种过渡金属硫化物纳米带及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310210601.4，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种过渡金属硫化物纳米带及其制备方法是由左勇刚;薛国栋;刘开辉;张利波;付立康;张耕伟;林国设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种过渡金属硫化物纳米带及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种过渡金属硫化物纳米带及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将预备好的基底均匀涂一层过渡金属源后反扣于另一片干净的基底晶片上，二者构建出间距在微米量级的局域空间置于管式炉中。在高温下，上层的过渡金属源挥发扩散至下层衬底，并与通入的硫源发生反应，在下层基底上得到一维过渡金属硫化物纳米带。相比常规其他方法，该方法具有流程短，工艺简单，无催化剂，普适性强等特点，可用于制备多种过渡金属硫族化合物TMDC纳米带，为一维纳米材料的制备提供了一种新思路。
本发明授权一种过渡金属硫化物纳米带及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种过渡金属硫化物纳米带的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： （一）将过渡金属源形成于基底的第一表面上； （二）将上述基底反扣于干净衬底上一起放于耐高温板上形成层叠体，并将所述层叠体置于管式炉中，所述层叠体从上至下依次包括：基底、衬底和耐高温板；其中，所述基底的第一表面与干净衬底相对设置，且基底与干净衬底之间形成间隙，所述间隙高度在50nm-10μm；在所述管式炉中放置硫族元素供应源； （三）在常压或低压下通入保护性气体并升温，所述保护性气体依次流过所述硫族元素供应源和所述层叠体，控制升温速率在5-100°Cmin升温至预定温度，然后保温生长40min以下；其中，所述预定温度范围为500-1000°C； （四）生长结束后，关闭加热电源，维持所述保护性气体流量不变，冷却至室温，得到过渡金属硫化物纳米带。
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