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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利修形区域确定方法及基于散射分离低散射外形Vivaldi阵列天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310207727.6，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权修形区域确定方法及基于散射分离低散射外形Vivaldi阵列天线是由贾永涛;刘烁烁;刘英;周泽鹏;聂丽峰设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本修形区域确定方法及基于散射分离低散射外形Vivaldi阵列天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种修形区域确定方法，包括：获取第一电流分布、第二电流分布和第三电流分布；第一电流分布、第二电流分布和第三电流分布是在端射方向同极化波入射的Vivaldi阵列天线端口分别接短路负载、开路负载、匹配负载时，对应仿真得到的Vivaldi阵列天线的金属辐射贴片表面各个位置的散射电流；根据第一电流分布和第二电流分布，确定金属辐射贴片的结构项散射电流分布；根据第三电流分布和结构项散射电流分布，确定金属辐射贴片的模式项散射电流分布；根据结构项散射电流分布与模式项散射电流分布，得到金属辐射的减缩场分布；根据金属辐射贴片表面的各个位置的减缩场电流和预设电流阈值，确定金属辐射贴片的修形区域。

本发明授权修形区域确定方法及基于散射分离低散射外形Vivaldi阵列天线在权利要求书中公布了：1.一种修形区域确定方法，应用于Vivaldi阵列天线，所述Vivaldi阵列天线包括：金属辐射贴片和微带线转带状线，其特征在于，所述方法包括： 获取第一电流分布、第二电流分布和第三电流分布；所述第一电流分布、所述第二电流分布和所述第三电流分布是在端射方向同极化波入射的Vivaldi阵列天线端口分别接短路负载、开路负载、匹配负载时，对应仿真得到的所述金属辐射贴片表面各个位置的散射电流； 根据所述第一电流分布和所述第二电流分布，确定所述金属辐射贴片的结构项散射电流分布；所述结构项散射电流分布为所述金属辐射贴片表面各个位置的结构项散射电流； 根据所述第三电流分布和所述结构项散射电流分布，确定所述金属辐射贴片的模式项散射电流分布；所述模式项散射电流分布为所述金属辐射贴片表面各个位置的模式项散射电流； 根据所述结构项散射电流分布与所述模式项散射电流分布，得到所述金属辐射的减缩场分布；所述减缩场分布为所述金属辐射贴片表面各个位置的减缩场电流；所述减缩场分布的计算公式如下：，其中，为减缩场分布，为结构项散射电流分布，为模式项散射电流分布；的计算公式为：，其中，为所述第二电流分布，为所述第一电流分布；的计算公式为：，其中，为所述第三电流分布； 根据所述金属辐射贴片表面的各个位置的减缩场电流和预设电流阈值，确定所述金属辐射贴片的修形区域，具体包括： 从所述金属辐射贴片表面的各个位置的减缩场电流中，筛选出大于或等于所述预设电流阈值的减缩场电流； 将大于或等于所述预设电流阈值的减缩场电流对应的位置所构成的区域，作为待选区域； 将所述待选区域中除所述微带线转带状线对应区域和Vivaldi阵列天线的槽线区域之外的区域，作为所述金属辐射贴片的修形区域。

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