新唐科技日本株式会社西尾明彦获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利功率放大用半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118843944B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380026972.5，技术领域涉及：H10D30/87；该发明授权功率放大用半导体装置是由西尾明彦;土居宽之设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率放大用半导体装置在说明书摘要公布了：高频放大用半导体装置100具备衬底101，衬底101上的第1氮化物半导体层103、二维电子气层105及第2氮化物半导体层104、以及在第2氮化物半导体层104的上方相互隔开间隔设置的源极电极301、漏极电极302及栅极电极401，在平面观察中，在存在二维电子气层105的有源区域701中，具有电阻体601和设在第2氮化物半导体层104的上方的电阻体601，在平面观察中，在非有源区域704中，具有与漏极电极302或栅极电极401连接的漏极端子803及栅极端子804、以及电阻体601所连接的第1电阻端子805及第2电阻端子806。
本发明授权功率放大用半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种功率放大用半导体装置，其特征在于， 具备： 衬底； 第1氮化物半导体层，设在上述衬底上； 第2氮化物半导体层，设在上述第1氮化物半导体层上，带隙比上述第1氮化物半导体层大； 二维电子气层，设在上述第1氮化物半导体层与上述第2氮化物半导体层之间的界面的上述第1氮化物半导体层侧； 源极电极及漏极电极，在上述第1氮化物半导体层的上方隔开间隔设置，分别与上述二维电子气层电连接； 栅极电极，与上述源极电极及上述漏极电极隔开间隔设置，与上述第2氮化物半导体层接触；以及 场板，电位与上述源极电极相同，在上述栅极电极与上述漏极电极之间具有上述漏极电极侧的端部； 在上述衬底的平面观察中，上述衬底被划分为存在上述二维电子气层的有源区域和不存在上述二维电子气层的非有源区域； 在上述有源区域中，具有： 高电子迁移率晶体管，包含上述源极电极、上述漏极电极及上述栅极电极；以及 温度检测用的电阻体，设在上述第2氮化物半导体层的上方； 在上述非有源区域中，具有： 第1端子焊盘，与上述漏极电极或上述栅极电极连接；以及 第2端子焊盘，与上述电阻体连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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