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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种残余应力梯度的无损测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116105904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310016372.2，技术领域涉及：G01L1/25；该发明授权一种残余应力梯度的无损测量方法是由李时磊;王沿东;王胜杰;刘亚博;王友康设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种残余应力梯度的无损测量方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种残余应力梯度的无损测量方法。其实验平台主要包括一台能量不低于15keV的直通光X射线源、一台面探测器和一台样品加载装置，整体采用透射几何模式。在未加载状态下，使入射X射线从试样一侧扫描至另一侧，获得样品不同层内X、Y方向上晶面{hkl}的晶面间距d值。试样不同层处{hkl}晶面在无应力状态下的晶面间距d0值则根据样品在弹性变形阶段不同应力状态下d‑sin2ψ关系的交点确定。根据胡克定律，最终计算出材料在不同层处X、Y方向上的残余应力梯度。该发明可以快速实现材料内部两个方向上的残余应力梯度的无损测量，准确评价材料内部残余应力的变化情况，有助于完善材料的设计和强化工艺，最终提高材料构件的服役寿命。

本发明授权一种残余应力梯度的无损测量方法在权利要求书中公布了：1.一种材料残余应力梯度的无损测量方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、实验平台搭建：包括一台直通光X射线源、一台面探测器和一台样品加载装置； S2、试样准备：将具有残余应力梯度的材料加工成与样品加载装置相匹配的拉伸试样； S3、残余应力梯度测量：在未加载状态下，使入射X射线从拉伸试样的一侧扫描至另一侧，获得样品不同层内X、Y方向上晶面{hkl}的晶面间距d值； S4、材料不同层处无应力状态下{hkl}晶面间距d0值获得：利用样品加载装置对拉伸试样进行逐步加载，获得材料不同层处{hkl}晶面在不同应力状态下d-sin2ψ关系，其交点值作为该层处{hkl}晶面无应力状态下的d0值，其中ψ为衍射矢量方向与样品表面法向之间的夹角； S5、残余应力梯度计算：通过下式计算试样不同层处X、Y方向上{hkl}晶面的晶格应变ε： 拟合试样不同层处的弹性模量E，根据胡克定律，计算试样不同层处X、Y方向上的残余应力σ：σ＝E·ε； 材料不同层处无应力状态下{hkl}晶面间距d0值获得时，需对拉伸试样在弹性变形阶段进行逐步加载，且每次加载后，使入射X射线沿拉伸试样残余应力梯度方向进行扫描； 在梯度材料不同层处采用不同的d0值和E值。

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