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龙图腾网获悉天通凯巨科技有限公司申请的专利一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211718730.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法是由孔辉;徐秋峰;张忠伟;钱煜;沈浩;濮思麒;曹焕设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法在说明书摘要公布了：一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法，包括如下步骤：将钽酸锂晶片进行碱性清洗溶液超声清洗；将钽酸锂晶片用甩干机甩干；将保护膜均匀涂覆于钽酸锂晶片正面并固化；将钽酸锂晶片进行喷砂处理；将钽酸锂晶片放入脱膜剂溶液中加热超声清洗进行脱膜，最终得到表面无残胶的钽酸锂晶片。本发明通过工艺改进，有效解决了传统工艺撕膜后晶片表面留有残胶的问题，同时提高了生产效率，降低了生产成本，保证了生产良率。

本发明授权一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法，其特征在于，包括下列具体步骤： a将钽酸锂晶片放入45～55℃的碱性清洗溶液中超声清洗10～25min，清洗晶片表面颗粒沾污和有机物沾污，然后将晶片放入纯水槽中冲洗去除晶片表面清洗液残留； b将步骤a处理后的钽酸锂晶片放入甩干机中甩干，晶片甩干转速为300～1000rpm，甩干时间3～8min，获得表面干燥无水痕的晶片； c将步骤b处理后的钽酸锂晶片放在丝网印刷台上，将各成份质量比为聚酯35～50%，单体混合物10～20%，丙烯酸15～25%，稀释剂15～25%的稠状液体晶片保护膜通过丝网印刷方法均匀涂覆于待处理钽酸锂晶片的正面，丝网印刷网版为100～200目，然后将涂完保护膜的钽酸锂晶片放在紫外光灯下照射1～5min等待晶片表面晶片保护膜固化，紫外光灯照度为600～2000mwcm2； d将步骤c处理后的钽酸锂晶片正面吸附在喷砂机真空平台上进行喷砂处理，喷砂温度为70～80℃； e将步骤d处理后的钽酸锂晶片放入70～85℃的脱膜剂清洗溶液中超声浸泡10～30min进行脱膜处理，然后将晶片放入纯水槽中冲洗去除晶片表面脱膜剂残留，最后将晶片甩干后得到表面无残胶的钽酸锂晶片。

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