上海集成电路制造创新中心有限公司徐航获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211697847.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法是由徐航;杨雅芬;张卫设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中槽型绝缘栅双极型晶体管包括N型硅衬底、第一屏蔽栅、第二屏蔽栅、控制栅、发射极、正面P型阱区、N型载流子存储层和高掺杂的载流子存储层；N型硅衬底上开设有沟槽，正面P型阱区、N型载流子存储层和发射极分别位于沟槽的两侧，高掺杂的载流子存储层在左侧，且发射极位于正面P型阱区的上方，正面P型阱区位于N型载流子存储层的上方；第一屏蔽栅、第二屏蔽栅和控制栅设于沟槽内，且第一屏蔽栅和控制栅并排设置，第二屏蔽栅位于第一屏蔽栅和控制栅的底部；所述第一屏蔽栅和所述第二屏蔽栅与所述发射极电势相等。本发明消除集电极对沟槽栅的影响，降低了栅电荷，改善动态特性。
本发明授权槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括N型硅衬底、第一屏蔽栅、第二屏蔽栅、控制栅、发射极、正面P型阱区、N型载流子存储层和高掺杂的载流子存储层； 所述N型硅衬底上开设有沟槽，且所述N型硅衬底的正面形成有所述正面P型阱区、所述N型载流子存储层、所述高掺杂的载流子存储层和所述发射极，所述正面P型阱区、所述N型载流子存储层和所述发射极分别位于所述沟槽的两侧，所述高掺杂的载流子存储层在所述沟槽的左侧，且所述发射极位于所述正面P型阱区的上方，所述正面P型阱区位于所述N型载流子存储层的上方； 所述第一屏蔽栅、所述第二屏蔽栅和所述控制栅设于所述沟槽内，且所述第一屏蔽栅和所述控制栅并排间隔设置，所述第二屏蔽栅位于所述第一屏蔽栅和所述控制栅的底部；其中，所述第一屏蔽栅和所述第二屏蔽栅与所述发射极电势相等。
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