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龙图腾网获悉中山大学;新启航半导体有限公司申请的专利一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211608043.9，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片是由朱海;郑湖颖;王亚琪;王润晨;王竞卓;王庭云设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片，包括两个第一n型电极、第一n‑GaN二维拓扑光子晶体、n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑GaN注入层、n+‑GaN层、第二n型电极、两个绝缘有机物；两个所述的绝缘有机物呈水平设置，所述的n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑GaN注入层、n+‑GaN层由下到上依次叠加设置，均位于两个所述的绝缘有机物之间，且与绝缘有机物连接；两个绝缘有机物均设置在所述的第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部，且所述的第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部还与n‑InGaN层的底部连接；所述的第一n型电极设置在第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部，且位于绝缘有机物的正下方；所述的第二n型电极的底部同时与绝缘有机物的顶部、n+‑GaN层的顶部连接。

本发明授权一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片在权利要求书中公布了：1.一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片，其特征在于：所述的激光芯片包括两个第一n型电极（1）、第一n-GaN二维拓扑光子晶体（2）、n-InGaN层（3）、InGaN量子阱有源层（4）、p-InGaN层（5）、p-AlGaN阻拦层（6）、p-GaN注入层（7）、n+-GaN层（8）、第二n型电极（9）、两个绝缘有机物（10）； 两个所述的绝缘有机物（10）呈水平设置，所述的n-InGaN层（3）、InGaN量子阱有源层（4）、p-InGaN层（5）、p-AlGaN阻拦层（6）、p-GaN注入层（7）、n+-GaN层（8）由下到上依次叠加设置，均位于两个所述的绝缘有机物（10）之间，且与绝缘有机物（10）连接； 两个绝缘有机物（10）均设置在所述的第一n-GaN二维拓扑光子晶体（2）的顶部，且所述的第一n-GaN二维拓扑光子晶体（2）的顶部还与n-InGaN层（3）的底部连接； 所述的第一n型电极（1）设置在第一n-GaN二维拓扑光子晶体（2）的顶部，且位于绝缘有机物（10）的正下方； 所述的第二n型电极（9）的底部同时与绝缘有机物（10）的顶部、n+-GaN层（8）的顶部连接； 所述的激光芯片还包括第二n-GaN二维拓扑光子晶体（11）； 所述的第二n-GaN二维拓扑光子晶体（11）的底部与n+-GaN层（8）的顶部连接； 所述的第二n-GaN二维拓扑光子晶体（11）的两端分别与一个第二n型电极（9）的侧边连接。

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