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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116167308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211595320.7，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法是由刘红侠;刘长俊;王树龙;陈树鹏设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，包括：构建SRAM加固单元的读写仿真电路结构，读写仿真电路结构包括SRAM加固单元以及两个三态门，其中，两个三态门的输出端对应连接SRAM加固单元的第一位线和第二位线，SRAM加固单元的字线输入外部字线控制电压；通过控制三态门的输出以及外部字线控制电压，对SRAM加固单元进行读操作和写操作仿真验证；获取weibull函数电流源，根据weibull函数电流源以及读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真；其中，利用weibull函数对单粒子效应数据拟合得到weibull函数电流源。本发明能够有效且快速地对SRAM电路加固单元进行功能和性能评估。

本发明授权一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，其特征在于，包括： 步骤1：构建SRAM加固单元的读写仿真电路结构，所述读写仿真电路结构包括SRAM加固单元以及两个三态门，其中，所述两个三态门的输出端对应连接所述SRAM加固单元的第一位线和第二位线，所述SRAM加固单元的字线输入外部字线控制电压； 步骤2：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行读操作和写操作仿真验证；所述步骤2包括： 步骤2.1：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行写操作仿真验证，包括： 控制所述外部字线控制电压将所述字线置为高电平，控制所述三态门的输出将所述第一位线和所述第二位线置为高低相反的两个电平，观测所述SRAM加固单元的第一存储节点和第二存储节点的电位变化，根据观测结果判断写操作是否成功； 步骤2.2：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行读操作仿真验证，包括： 控制所述三态门的输出将所述第一位线和所述第二位线均置为高电平后控制两个三态门的输出均为高阻态控制信号，控制所述外部字线控制电压将所述字线置为高电平，观测所述第一位线和所述第二位线的电位变化，根据观测结果判断读操作是否成功； 步骤3：获取weibull函数电流源，根据所述weibull函数电流源以及所述读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真； 其中，利用weibull函数对单粒子效应数据拟合得到所述weibull函数电流源； 在所述步骤3中，获取weibull函数电流源，包括： 实验仿真得到的所述单粒子效应数据； 对所述单粒子效应数据进行weibull函数拟合，得到所述weibull函数电流源，所述weibull函数电流源的拟合公式表示为： ； 其中，t表示时间变量，a表示第一拟合参数，b表示第二拟合参数、c表示第三拟合参数，其中， ； 式中，AP表示脉冲电流在0-tp时间内的积分，tp表示脉冲电流的峰值对应的时间，A表示电流脉冲与时间的积分，H表示脉冲电流的峰值； 在所述步骤3中，根据所述weibull函数电流源以及所述读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真，包括： 改变所述weibull函数电流源的能量，得到不同能量的weibull函数电流源； 利用HSPICE工具在所述读写仿真电路结构中的SRAM加固单元的所有敏感节点依次添加所述不同能量的weibull函数电流源； 验证每个敏感节点在添加不同能量的weibull函数电流源的情况下是能否抵抗单粒子翻转效应，实现对所述SRAM加固单元的单粒子效应仿真。

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