山东华光光电子股份有限公司孙春明获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种大功率低发散角半导体激光器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115912055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211574392.3，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种大功率低发散角半导体激光器芯片是由孙春明;吴凯;苏建;刘琦设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大功率低发散角半导体激光器芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及一种大功率低发散角半导体激光器芯片，属于半导体激光器领域，层叠结构包括自下到上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、量子阱层、P型波导层、P型限制层、绝缘层以及P面金属；脊波导沿激光器芯片的出光方向延伸，脊波导两头宽中间窄；电流注入区形成于脊波导上，隔离槽区形成于靠近腔面的脊波导以及两侧区域，深沟槽区形成于脊波导两侧，其在出光方向为三角形，靠近腔面处宽度大。本发明可以有效消除了热透镜效应，大大降低慢轴发散角，同时，脊波导采用两头宽的形势，降低了载流子在脊波导边缘的堆积效应，消除近场光斑中边缘区域功率较强的尖峰，避免局部光场过强导致腔面损伤，大大提高了器件的长时间可靠性。
本发明授权一种大功率低发散角半导体激光器芯片在权利要求书中公布了：1.一种大功率低发散角半导体激光器芯片，其特征在于，包括层叠结构、脊波导、电流注入区、隔离槽区和深沟槽区； 所述层叠结构包括自下到上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、量子阱层、P型波导层、P型限制层、绝缘层以及P面金属； 脊波导沿半导体激光器芯片的出光方向延伸，出光方向为半导体激光器芯片腔长的延伸方向，脊波导两头宽中间窄； 电流注入区形成于脊波导上，隔离槽区形成于靠近腔面处的脊波导以及其两侧区域，深沟槽区形成于脊波导两侧，其在出光方向为三角形，靠近腔面处宽度大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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