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龙图腾网获悉重庆斯太宝科技有限公司申请的专利一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115790907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211526470.2，技术领域涉及：G01K15/00；该发明授权一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法是由胡轶;王志刚设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，具体公开一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法，方法包括S1、被测芯片和标准芯片在室温温场下的电阻值进行测量，并计算出对应的室温下的电阻差值；S2、将对应的被测芯片和标准芯片放到温场内进行加热，使其达到短期热平衡；所述温场的温度为动态变化的温度曲线；S3、测量并计算被测芯片和标准芯片在高温下的电阻差值；S4、根据对应的高温电阻差值和室温电阻差值，对被测芯片进行标定。本方案能够降低测试过程中对温场的均匀性和稳定性的要求，实现对芯片的快速测量，从而提高温度传感器芯片检测的效率。

本发明授权一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种高精度温度传感器芯片自动测试方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、被测芯片和标准芯片在室温下的电阻值进行测量，并计算出对应的室温下的电阻差值；所述被测芯片包括贴片式铂热敏电阻芯片和带引线式铂热敏电阻芯片；所述室温是动态变化的，具体温度数值根据环境实况呈随机性体现；所述室温下测量被测芯片和标准芯片电阻值不需要达到热平衡； S2、将对应的被测芯片和标准芯片放到温场内进行加热，使其达到短期热平衡；所述温场的温度为动态变化的温度曲线； S3、测量并计算被测芯片和标准芯片在高温下的电阻差值； S4、根据对应的高温电阻差值和室温电阻差值，对被测芯片进行标定； 所述S4包括： S40、根据室温电阻差值和标准芯片在高温下的电阻差值，判断出该被测芯片在高温下所对应的等级； S41、根据被测芯片在室温下所对应的等级和在高温下所对应的等级，利用最终的等级评判标准，判断出该被测芯片的最终的等级； 所述被测芯片室温下的各个等级的判断准则为： 等级A,-0.05Ω≤△R室温≤0.05Ω； 等级B,-0.11Ω≤△R室温≤0.11Ω； 等级C,-0.5Ω≤△R室温≤0.5Ω； 所述被测芯片高温下的各个等级的判断准则为： 等级A，（R+△R室温）×（0.003845×t+1）-Rt标≤△Rt≤（R+△R室温）×（0.003856×t+1）-Rt标，t=Rt标-R0.3851； 等级B，（R+△R室温）×（0.003840×t+1）-Rt标≤△Rt≤（R+△R室温）×（0.003862×t+1）-Rt标,t=Rt标-R0.3851； 等级C，（R+△R室温）×（0.003826×t+1）-Rt标≤△Rt≤（R+△R室温）×（0.003876×t+1）-Rt标，t=Rt标-R0.3851； 式中，R室温是指被测芯片在室温下的测试值，R常标是指在室温下标准芯片的测试值，△R室温是指被测芯片与标准芯片在室温下测试值的差值即△R室温=R室温-R常标；Rt是指被测芯片在高温t下的测试值，Rt标是指在高温t下标准芯片的测试值，△Rt是指被测芯片与标准芯片在高温t下测试值的差值,即△Rt=Rt-Rt标；R为芯片的标称电阻值； 最终的等级评判标准为：△R室温，△Rt需同时满足等级A要求，才能分拣到等级A,△R室温，△Rt需同时满足等级B要求或其中一个为A，另一个为B,分拣到等级B,△R室温，△Rt需同时满足等级C要求或其中一个为A，另一个为C或其中一个为B另一个为C,分拣到等级C。

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